Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.

• Автор: Фещенко, Игорь Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Тирасполь
• Количество страниц: 130 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Энергетическая структура и ос
обенности легирования халькогенидных стеклообразных
полупроводников системы (А828з)х-(А828ез)1.х
§ 1.1. Общие свойства халькогенидных стеклообразных
полупроводников системы (А828з)х-(А828ез)].х
1ЛЛ. Структура электронного энергетического спектра
1Л.2. Исследования края фундаментального поглощения
ХСП системы (А528з)х'(А528ез)1.х
1Л.З. Дисперсионная зависимость показателя преломления
в ХСП системы (А828з)Х'(А528ез)1_х
§ 1.2. Примесные и дефектные состояния в легированных
ХСП системы (А828з)х-(А828ез)1_х
1.2.1. Исследование примесной проводимости
легированных ХСП системы (А8283)х-(А828е3)1.х
1.2.2. Особенности сильнонеравновесно легированных
пленок системы (Аз28з)х-(А$28ез)1.х
1.2.3. Модель образования в сильнонеравновесно
легированных пленках ХСП микронеоднородностей
§ 1.3. Фотопроводимость ХСП
системы (Аз28з)х-(А828е3)1.х
§ 1.4. Голографические свойства пленочных
систем Аз28ез8п2, As2Sз-Ag
ГЛАВА 2. Технологические условия получения и исследование фотоэлектрических и голографических характеристик массивных и пленочных ХСП системы
(А8283)х-(А828ез)1_х
§2.1. Технология получения монолитных ХСП
состава (А828з)х-(А828е3)|.х
§ 2.2. Исследование технологических условий получения тонких пленок ХСП системы (Аз283)х-(А828ез)1.х

2.2.1. Разработка и изготовление вакуумнотехнологической установки для получения однородных
по составу фоточувствительных пленок
2.2.2. Получение тонких пленок системы
(Аз28з)х-(Аз28ез)|_х
§ 2.3. Методика исследований фотоэлектрических и голографических параметров и характеристик
ХСП системы (Аз28з)х-(А828ез)і.х
§ 2.4. Исследование фоточувствительности монолитных стеклообразных полупроводников системы
§ 2.5. Фотоэлектрические свойства тонких пленок
(А828з)о.з'(Аз25з)о.7 легированных 8п и РЬ
§ 2.6. Исследование основных голографических
характеристик пленок ХСП (А828з)о.з-(А828е3)о.7: Бп
ГЛАВА 3. Исследование процессов диффузии в
пленочных структурах (А8283)х-(А828ез)1_х- У
§3.1. Методика получения и экспериментального исследования процессов диффузии в системе
(А828з),.х-(А828ез)х- У/
§ 3.2. Процессы диффузии в системе
(А828з)х-(А828е3),-х-У
§ 3.3. Оптические свойства системы Ав^ез
ГЛАВА 4. Основные голографические характеристики
системы (А828з)о.з• (Ав28ез)о.7—ЗУ
§4.1. Методика получения и экспериментального
исследования пленочной системы (А828з)о.з'(А828е3)о.7“^,
§ 4.2. Исследование совместного влияния 8п и У на
голографические свойства системы (А828з)о.з-(А828е3)о.
§ 4.3. Определение оптимального соотношения толщины оксидного подслоя У02 и ХСП для получения максимальной дифракционной эффективности

системы (А828з)о.з-(А828ез)о.7^
§ 4.4. Управление дифракционной эффективностью системы (А828з)о.з-(А828е3)о.7^02 для получения
дифракционных элементов на просвет и на отражение
§ 4.5. Сравнительный анализ голографических
характеристик системы (А828з)о.з-(А828ез)о.7-У^
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

дает простой ответ на вопрос: почему для электрически активного центра не выполняется “правило 8-АГ. Донорный, или акцепторный, характер электронного примесного состояния определяется соотношением валентности примесного атома и пространственной структуры микрообласти, а не матрицы исходного ХСП.
Выделим работы, в которых различными методами фиксировалось появление в легированных ХСП микронеоднородностей. Это работа [80], в которой предполагалось наличие мелкодисперсной (по-видимому, также неупорядоченной) фазы МпБе или МпБег в Аэгйез, легированном Мп методом синтеза. Затем в работах [81, 82], посвященных ХСП, легированным Зй-металлами методом синтеза, с помощью измерения магнитной восприимчивости, методами дифференциального - термического - анализа, было показано появление микронеоднородных областей, обогащенных Зс1-металлами. В связи с этим в работе Тверьяновича и Борисовой [1] была предложена модель, связывающая увеличение проводимости в ХСП, легированных ЗйСметаллами, с перекрытием областей пространственного заряда, возникающих на границе матрица-микрообласть. В подтверждение этого указывалось, что излом на зависимости 1па~1/Г появляется только на определенной стадии развития микрообластей. Однако в рамках этой модели трудно объяснить огромное влияние примесей на проводимость, начиная уже с концентраций порядка ~ 1 ат. %.
Исходя из вышеизложенного, можно отметить, что в модели примесного центра с неизменяющимся зарядом [83] не ясна причина отсутствия электронного состояния в потенциальной яме заряженного примесного центра. Модель перекрывающихся областей пространственного заряда [1] испытывает трудности при объяснении большого влияния малых концентраций примеси (~1 ат.%), а модель обычного примесного состояния не объясняет причину нарушения “правила 8-М’.