Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
- Автор:
Фещенко, Игорь Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Тирасполь
- Количество страниц:
130 с. : ил
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si | Смагина, Жанна Викторовна | 2008 |
| Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах | Каневский, Владимир Михайлович | 2013 |
| Динамическая модель процессов формирования трехмерных кластеров в кремнии | Можаев, Алексей Владиславович | 2010 |