Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
- Автор:
Фещенко, Игорь Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Тирасполь
- Количество страниц:
130 с. : ил
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.», автор — Фещенко, Игорь Сергеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Тирасполь в 2002 году. Объем работы: 130 с. : ил. Внутренний код товара: 01002315822. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние условий формирования на особенности атомного строения и оптических свойств широкозонных полупроводниковых микро- и наноструктур МоО3 и MoS2 | Аль, Хайлани Хассан Исмаил Дамбос | 2019 |
| Элементарные процессы при электронном возбуждении кристаллофосфоров диссоциированными газами | Рогожина, Татьяна Сергеевна | 2003 |
| Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах | Пчелинцева, Екатерина Сергеевна | 2011 |