Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
- Автор:
Фещенко, Игорь Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Тирасполь
- Количество страниц:
130 с. : ил
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии : 2D-дырки на поверхности монокристаллического теллура | Березовец, Вячеслав Анатольевич | 2006 |
| Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs | Самойлов, Виктор Александрович | 2000 |
| Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона | Бритов, Александр Дмитриевич | 1983 |