Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
- Автор:
Смагина, Жанна Викторовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
211 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование электронных состояний на поверхности теллура при низких температурах | Березовец, Вячеслав Анатольевич | 1984 |
| Оптические исследования тонких пленок молекулярных органических полупроводников фталоцианинового ряда | Колосько, Анатолий Григорьевич | 2009 |
| Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей | Атаджиков, Какабай | 1984 |