Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
- Автор:
Смагина, Жанна Викторовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
211 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности спин-орбитального взаимодействия в сложных гетероструктурах | Романов, Константин Сергеевич | 2005 |
| Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x | Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат | 2000 |
| Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния | Басаев, Александр Сергеевич | 2007 |