Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
- Автор:
Смагина, Жанна Викторовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
211 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах | Лукашов, Николай Васильевич | 1999 |
| Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах | Старчук, Александр Сергеевич | 2006 |
| Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si | Ненашев, Алексей Владимирович | 2004 |