Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
- Автор:
Смагина, Жанна Викторовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
211 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si», автор — Смагина, Жанна Викторовна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2008 году. Объем работы: 211 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003420017. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| К теории эффектов слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в двумерных полупроводниковых структурах | Горный, Игорь Викторович | 1998 |
| Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0≤X≤0,015) | Матиева, Тоита Ахметовна | 2008 |
| Идентификация механизмов токопереноса структур Me-a-Si: H при автоматизированной обработке экспериментальных данных | Вихров, Дмитрий Сергеевич | 2002 |