Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
- Автор:
Смагина, Жанна Викторовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
211 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследования светоизлучающих гетероструктур с квантовыми ямами, ориентированными в полярных и неполярных направлениях | Яковлев, Илья Николаевич | 2014 |
| Исследование временной стабильности и моделирование параметров фотоприемников из антимонида индия с целью оптимизации их конструкции и технологии | Недоруба, Денис Алексеевич | 2004 |
| Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами | Грунин, Александр Борисович | 2002 |