Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si

• Автор: Смагина, Жанна Викторовна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 211 с. : ил.

СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ
МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия
ДБЭ - дифракция быстрых электронов
СТМ - сканирующая электронная микроскопия
ПЭМ - просвечивающая электронная микроскопия
КРС - комбинационное рассеяние света
EXAFS - растянутая тонкая структура рентгеновского поглощения
POP - резерфордовское обратное рассеяние
ФЛ - фотолюминесценция
ППС - приближение парных столкновений
МД - молекулярная динамика
МК - Монте-Карло
КТ - квантовая точка
2D - двумерный
3D - трёхмерный
МС - монослой
БС - бислой
ЭЛИ - электронно-лучевой испаритель ДН - дислокации несоответствия к - постоянная Больцмана Т— температура
D - коэффициент диффузии адатомов г- время жизни адатома ті - длительность импульса F- плотность молекулярного потока
j - плотность ионного потока ./ - интегральный поток ионов Eio„ - энергия иона
v0 - частота тепловых колебаний атомов
а - среднее межатомное расстояние
Еа - энергия активации поверхностной диффузии
ni, П2 - число ближайших соседей в первой и второй координационной сфере диффузионного прыжка
Е/, Ei - энергия связи адатома с ближайшими соседями
Mi,Zi- масса и атомный номер иона
Mi, Zi - масса и атомный номер атома мишени
Ed - порог смещения атома из узла решетки с образованием пары дефектов вакансия-междоузлие
С - концентрация поверхностных вакансионных кластеров N— плотность островков
О— степень заполнения поверхностного монослоя х - содержание материала X - выход обратного рассеяния е - тензор деформации
6 - среднеквадратическое отклонение от среднего размера островка ,
Vdep- скорость осаждения материала Eei - упругая энергия решетки

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
§ 1 Л. Формирование гетероструктур Се/Б!
1Л Л. Механизмы формирования трёхмерных островков в процессе
гетероэпитаксии
1Л.2. Морфологические перестройки в гетероструктурах Ое/Б1
1Л .3. Сверхструктурные переходы в процессе эпитаксии вс на 81(111)
1 Л.4. Сверхструктурные переходы в процессе эпитаксии ве на 81(100)
1Л.5. Способы управления процессом эпитаксии в системе Ое/Б!
1.1.5.1. Температура и скорость осаждения
1.1.5.2. Влияние состава осаждаемого материала
1.1.5.3. Присутствие дополнительных химических элементов
1.1.5.4. Предосаждение слоя Б1.хСех
1.1.5.5. Облучение низкоэнергетическими ионами
1.1.5.6. Дополнительные пути управления характеристиками массивов самоформирующихся островков
§ 1.2. Ионное облучение как способ управления ростом эпитаксиальных пленок
1.2.1. Физические процессы при взаимодействии ионов с твердым телом
1.2.1.1. Шкала энергий ионов
1.2.1.2. Упругие и неупругие столкновения
1.2.1.3. Приближение парных столкновений и молекулярная динамика
1.2.1.4. Локальная модификация поверхности, генерация адатомов
1.2.1.5. Сверхструктурные переходы
1.2.1.6. Стимуляция зародышеобразовапия

Рис. 1.12. Состояние поверхности 81(100) через (а) 0.4 пс и (б) 100 пс после удара иона Хе параллельно димерным рядам. Энергия иона - 225 эв. Угол падения 60° от нормали к поверхности. Светлые тона соответствуют поверхностным атомам за исключением иона Хе и распыляемых атомов [22].