Технология получения и электрофизические свойства тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te, предназначенных для устройств фазовой памяти
- Автор:
Лазаренко, Петр Иванович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
181 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства | Драка, Оксана Евгеньевна | 2003 |
| Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs | Гусев, Дмитрий Александрович | 2015 |
| Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации | Сорокин, Константин Викторович | 2000 |