Тонкопленочные микроэлектронные преобразователи и методы их технологического контроля

• Автор: Власов, Геннадий Сергеевич
• Шифр специальности: 05.11.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Пенза
• Количество страниц: 463 с. : ил.

I. ОБЪЕКТЫ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ТЕХНОЛОГИИ И ИХ МОДЕЛИРОВАНИЕ
1.1. ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ
1.2. КЛАССИФИКАЦИЯ ИЗДЕЛИЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ТЕХНОЛОГИИ

1.3. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И МАКРОМОДЕЛИРОВАНИЕ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ ;
1.4. СТРУКТУРНОЕ МАКРОМОДЕЛИРОВАНИЕ ПРИ АНАЛИЗЕ ТОЧНОСТИ В СИСТЕМАХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ (ТИ) ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛ ЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ
1.5. ОЦЕНКА РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ ГИС В РАМКАХ УПРОЩЕННЫХ МОДЕЛЕЙ
1.6. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ТОЧНОСТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ГИС ПАП И АПП
1.7. ОСОБЕННОСТИ ВИДОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ИМС
1.8. ВЫВОДЫ
II. КЛАССИФИКАЦИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КОМПОНЕНТОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ (ТИС)
2.1. ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ
2.2. ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР И ЕГО ПОДГОНКА
2.3. ВЛИЯНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ПАРАМЕТРЫ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ РЕЗИСТИВНОЙ СТРУКТУРЫ
2.4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ПОВЫШЕНИЯ ТОЧНОСТИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ ПРИ ИХ РАЗРАБОТКЕ И
ИСПЫТАНИЯХ
2.4.1. МЕТОД ОЦЕНКИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ РЕЗИСТИВНОЙ СТРУКТУРЫ
2.4.2 СПОСОБЫ ДОСТИЖЕНИЯ ТРЕБУЕМЫХ МЕТРОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ ТИПА НР И ТРП
2.4.3. О ПОДГОНЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ ПО ДВУМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПАРАМЕТРАМ
2.4.4. ПОДГОНКА СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТОДОМ СТРУКТУРИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЦЕПИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ ТИПА НР1

2.5. МЕТОДЫ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ПОДГОНКИ, СВЯЗАННЫЕ С
АЛГОРИТМОМ РАБОТЫ ИМС
2.6. ПОСТРОЕНИЕ МОДЕЛИ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ТОНКОПЛЁНОЧНОЙ МИКРОСХЕМЫ И ЕЁ КЛАССИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ НА ПРИМЕРЕ ГИС ЦАП
2.7. ИНСТРУМЕНТАЛЬНЫЕ ПОГРЕШНОСТИ ТОНКОПЛЁНОЧНЫХ ГИС, НА ПРИМЕРЕ ФУНКЦИОНАЛЬНО ЗАКОНЧЕННОГО ЦАП, И ПОСТРОЕНИЕ МОДЕЛЕЙ ИХ ОПИСАНИЯ
2.8. ПОСТРОЕНИЕ МОДЕЛЕЙ ИССЛЕДОВАНИЯ ИНСТРУМЕНТАЛЬНЫХ ПОГРЕШНОСТЕЙ ТИПОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЦАП 427 И 572 СЕРИЙ
2.9. ИССЛЕДОВАНИЕ ИНСТРУМЕНТАЛЬНЫХ ПОГРЕШНОСТЕЙ ТОНКОПЛЁНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ МЕТОДОМ ДОПОЛНЕНИЙ НА ПРИМЕРЕ ГИС ЦАП
2.10. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ФУНКЦИОНАЛЬНО ЗАКОНЧЕННОГО ЦАП
2.11. ПОГРЕШНОСТИ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ДАТЧИКА
ТЕМПЕРАТУРЫ
2.14. ВЫВОДЫ
1П. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТИС НА ОПЕРАЦИЯХ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ПОДГОНКИ, ПРОИЗВОДСТВЕННОГО И ЛАБОРАТОРНОГО КОНТРОЛЯ
3.1. ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ
3.2. ОСНОВНЫЕ ТОЧНОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ И ПУТИ ОБЕСПЕЧЕНИЯ
ТРЕБУЕМОЙ ТОЧНОСТИ
3.2.1 КЛАССИФИКАЦИЯ ТОЧНОСТНЫХ ПАРАМЕТРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ И ПУТИ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ТРЕБУЕМОЙ ТОЧНОСТИ
3.2.2. КРИТЕРИИ ЛИНЕЙНОСТИ ЦАП
3.2.3.СИНТЕЗ МОДЕЛЕЙ ФП ГИС ЦАП (АЦП)
3.2.4.0ЦЕНКА СТЕПЕНИ АДЕКВАТНОСТИ МОДЕЛЕЙ ФП ИНТЕГРАЛЬНЫХ ЦАП (АЦП)
3.3. ВЫВОДЫ
IV. РАЗРАБОТКА ПРЕЦИЗИОННЫХ СРЕДСТВ ИЗМЕРЕНИЯ СИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТИС И ПУТИ СОЗДАНИЯ СИ ПРЕДЕЛЬНО ДОСТИЖИМОЙ ТОЧНОСТИ
4.1. ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ
4.2. СРЕДСТВА И МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ
4.3. КЛАССИФИКАЦИЯ ГИС ЦАЛ И МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ПОГРЕШНОСТИ КОЭФФИЦИЕНТА ПРЕОБРАЗОВАНИЯ
4.4. РАЗРАБОТКА СРЕДСТВ ИЗМЕРЕНИЯ (СИ) СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГИС АЦП
4.5. АНАЛИЗ И РАЗРАБОТКА СРЕДСТВ ИЗМЕРЕНИЯ НЕЛИНЕЙНОСТИ ЦТ) И ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ НЕЛИНЕЙНОСТИ ШШ ПРЕЦИЗИОННЫХ ГИС ПАП
4.6. НОРМИРОВАНИЕ И ИЗМЕРЕНИЕ ОСНОВНЫХ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ

4.7. РАЗРАБОТКА СРЕДСТВ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ НА БАЗЕ МНОГОЗНАЧНОЙ ОБРАЗЦОВОЙ
МЕРЫ
4.8. РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ И СРЕДСТВ ИЗМЕРЕНИЙ В ПРОЦЕССЕ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ПОДГОНКИ ТОНКОПЛЁНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ
4.9. РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ И СРЕДСТВ ПОСТРОЕНИЯ МНОГОЗНАЧНЫХ РАБОЧИХ ОБРАЗЦОВЫХ МЕР КАЛИБРАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ СИСТЕМ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ИМС
4.10. РАЗРАБОТКА КАЛИБРАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ НА БАЗЕ ПРЕЦИЗИОННЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГИС ЦАП ДЛЯ СИСТЕМ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ

4.11. РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
У. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИЙ ТИС НА БАЗЕ ИНЖЕНЕРНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ НОВЫХ СВОЙСТВ И ВНЕДРЕНИЕ УСТОЙЧИВЫХ МЕТОДОВ АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ ОБРАБОТКИ ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ ИНФОРМАЦИИ
5.1. ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ
5.2. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ
5.3. РАЗРАБОТКА НОВЫХ КОНСТРУКЦИЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ НА БАЗЕ ЭКСПЕРЕМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ИХ МЕТРОЛОГИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
5.4. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ

макромоделирования (классификация уровней макромоделирования представлена на рис. 1.4.2). При этом целью исследования является снижение погрешности оценки исследуемого параметра за счет использования приемов повышения коэффициента подавления помехи выявленного фактора влияния.
Е1 Еп
Рис. 1.4.7. Обобщенная макромодель влияния на измерительный канал
помех различного вида:
Н(]со) - частотная характеристика измерительного прибора (ИП); Ь(]ш) -частотная характеристика паразитной связи источника помехи Е; с измерительным каналом; Еі...Ел - ЭДС источников помехи; ішвх(ешвх(М)) - ток шумов на входе КЦАП (ЭДС шумов на входе КЦАП); 2ВХ (Хвьк) - комплексное входное (выходное) сопротивление.
На рис. 1.4.7 представлена обобщенная макромодель воздействия помехи на измерительный тракт ИС (ИК). Включение в состав модели генератора тока шумов на входе КЦАП отражает реальные шумовые параметры опорных источников, вносящих существенную погрешность в результат измерения параметров ЦАП 16 и более разрядов. Такой генератор шума можно перенести в измерительный тракт наряду с другими источниками шума, однако при этом необходимо источник тока преобразовать в источник напряжения, амплитуду которого сделать зависимой от преобразуемого КЦАП кода N. При постоянной амплитуде этого источника зависимость от преобразуемого кода приобретает частотная характеристика Ц0<в, И). Согласно электрической макромодели на