Электроннооптические исследования ранних стадий формирования пленок гранецентрированных кубических металлов на щелочно-галлоидных кристаллах

• Автор: Маладжикян, Фрик Мкртычевич
• Шифр специальности: 01.04.18
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ереван
• Количество страниц: 123 c. : ил

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Теории образования зародышей при конденсации

на кристаллических подложках

1.1.1. Термодинамическая теория

1.1.2. Стзтистически-мехэническэи теория Уолтонэ--Родинэ

1.2. Экспериментальное изучение процессов зэродыше-обрззования на кристаллических подложках

1.2.1. Плотность зародышей

1.2.2. Распределение зародышей

1.2.3. Ориентация зародышей

1.2.4. Рост конденсированной фазы

1.2.5. Двойниковэние. Первичное двойникование по

четырем плоскостям {ill} .■
' Т.. ,
1.2.6. Многократное двойникование .'.Структура многократно сдвойникованных микро'йфисталлов
1.2.7. Мостики между микрокристаллами в ранних
стадиях роста пленок
1.2.8. Термическая обработка тонких металлических
пленок
1.2.9. Структура межфэзной границы системы ГПК металл/щелочно-галлоидный кристалл
1.3. Заключение. Постановка задачи
ГЛАВА 2. ТЕХНИКА ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Техника и условия эксперимента
2.2. Приготовление образцов пленок для электроннооптичесних исследований
2.3. Электроннооптические методы исследования
2.3.1. Электронная микроскопия
2.3.2. Электронография
ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОННООПТЙЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ РАННИХ СТАДИЙ
РОСТА ПЛЕНОК ГЦК МЕТАЛЛОВ НА ЩЕЛОЧНО-ГАЛЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ
3.1. Поверхность скола подложки и характер распределения зародышей конденсированной фазы
3.2. Условия конденсации и структурные изменения
в процессе формирования пленок
3.3. Строение зародышевых мультимикрокристаллов и образование мостиков между ними
3.4. Интерпретация электроногрзмм пленок ГЦК металлов и явление вращения сдвойникованных микрокристаллов
ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРОННООПТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ГЦК МЕТАЛЛОВ
4.1. Рекристаллизация и изменение ориентации в тонких пленках золота на каменной соли
4.2. Рекристаллизация в пленках алюминия
ГЛАВА 5. СТРУКТУРА МЕКФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ СИСТЕМЫ ДВОЙНИК
ЗАРОЖДЕНИЯ ГЦК МЕТАЛЛА/ЩЕЛОЧНО-ГАЛЛОИДНЫЙ
КРИСТАЛЛ
ВЫВОДЫ
Литература
Широкое применение тонких пленок в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем вызывает необходимость проведения глубоких исследований процессов их формирования, структуры и свойств. Особое место в современных исследованиях занимает проблема получения пленок с заданными структурой и ориентацией с надежной воспроизводимостью результатов. Важнейшим этапом на пути решения данной проблемы является исследование ранних стадий формирования пленок, когда пленка представляет собой совокупность изолированных микрокристэллов (островков), расположенных на поверхности подложки, и выяснение связи между структурой и ориентацией отдельных микрокристаллов со структурой и ориентацией сформировавшейся сплошной пленки.
С термодинамической точки зрения островковзя пленка является неравновесной системой, в которой имеются весьма развитые свободная и межфазнэя поверхности, с которыми связана избыточная энергия. В силу этого нестабильна во времени структура, следовательно, и нестабильны свойства островковых пленок. В этом аспекте весьма важным является исследование характера кинетики протекания процессов, приводящих к структурным и морфологическим изменениям островков в процессах роста и рекристаллизации пленок.
Подавляющее большинство работ, посвященных исследованию начальных стадий формирования пленок, проводились для металлов с ГЦК решеткой на щелочно-гэллоидных кристаллах. Это было обусловлено тем, что ГЦК металлы просты по структуре, хорошо изучены, доступны и ряд из них относится к благородным,

(8)
(В)
Рис.10.
Электронномикроскопические изображения и дифракционные картины пленок золота, выращенных при ТК=150°С, в различных средних толщинах осадка.
а - ьср=Ю А0; б - Ьср=25 А0; в - 11ср=300 А0.