Исследование условий образования двойников роста и сферолитов

• Автор: Орлова, Анна Олеговна
• Шифр специальности: 01.04.18
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 175 c. : ил

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

§ I. Типы двойников

§ 2. Образование двойников роста

§ 3. Образование сферолитов

Глава II. ИССЛЕДОВАНИЕ УСЛОВИЙ РОСТОВОГО ДВОЙНИКОВАНИЯ НА

МОДЕЛЬНОМ ВЕЩЕСТВЕ

9 I. Дифенил - модельное вещество для изучения

ростового двойникования

§ 2. Методика исследований

§ 3. Морфология двойников роста кристаллов дифенила

§ 4. Кинетические условия образования двойников

роста
Глава III. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СТРУКТУРНЫХ ОСОБЕННОСТЕЙ МОДЕЛЬНОГО ВЕЩЕСТВА НА ДВОЙНИКОВАНИЕ
§ I. Влияние примесей на морфологию кристаллов
дифенила
§ 2. О состоянии поверхностей граней кристаллов
дифенила
§ 3. Условия формирования устойчивости граней и
границ двойникования кристаллов дифенила
§ 4. К вопросу о механизме воздействия примесей
на двойникование дифенила
ГЛАВА ІУ. ПОЯСА ДВОЙНИКОВАНИЯ В КРИСТАЛЛАХ МИНЕРАЛОВ
§ I. Пояса двойникования - типоморфный признак
двойникования минералов

§2.0 поясах двойникования в связи с симметрией
кристаллов
§ 3. Генетическая классификация-двойников пла
гиоклазов
Глава V. УСЛОВИЯ ОБРАЗОВАНИЯ СФЕРОЛИТОВ
§ I. Морфологический ряд кристаллов дифенила
§ 2. Морфологические ряды кристаллов минералов
§ 3. Понятие собственно ростовых сферолитов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Несмотря на длительную, более, чем вековую, историю изучения процессов двойникования кристаллов и образования сферолитов, эти широко распространенные в природе явления по-прежнему остаются в центре морфологических исследований минералов. В последнее десятилетие особенно явно наметился генетический подход в анализе данных процессов. Многочисленные исследования двойников позволили создать классификации этих кристаллических дефектов не только по морфологическим и симметрийным признакам, но и на основе разграничения причин, вызывающих их образование.
Особое значение в последнее время приобретают исследования процессов двойникования и сферолитообразования в связи с условиями роста кристаллов. Это объясняется необходимостью разработки новых чувствительных морфологических критериев, характеризующих физико-химическую обстановку минералообразующей среды, служащих для решения задач генетической минералогии и петрологии. Понимание механизма влияния условий кристаллизации, структурных особенностей самого кристалла на двойникование и сферолитообра-зование представляет большую практическую ценность при разработке способов устранения подобных дефектов и оптимизации условий получения однородных кристаллов.
В этой связи среди различных типов двойниковых образований кристаллов наибольшую актуальность приобретает изучение собственно ростовых двойников, возникновение которых не связано с действием внешних сил и фазовыми превращениями. Настоящая работа посвящена исследованию условий образования двойников роста, которые являясь результатом комплексного действия внутренних (структура кристалла) и внешних (температура, движущая сила

ке. Индивиды двойника при этом как бы свисают внутрь камеры, что устанавливается по фокусировке объектива микроскопа, различной для шва срастания и ребер [ПО] индивидов двойника.
Морфология двойников, образующихся при температуре кристаллизации Т=35°С в интервале переохлаждений дТ=3-4°, более разнообразна. Наряду с вышеописанными ромбовидными двойниковыми сростках® (рис. 10,6) в этих условиях распространены двойники, индивиды которых сложены гранями {001} , {по} , {III} ,
{201} (рис. 10,в). Этот тип двойников аналогичен ранее рассмотренному макродвойнику. Прирастание таких двойников к подложке происходит гранями {201} двойниковых индивидов. Кроме перечисленных форм двойниковых срастаний здесь встречаются двойники, прикрепляющиеся к поверхности подложки гранью {III} (рис. 10,г). Подобные двойники распространены при росте дифенила при Т=45°С.
Сдвойникованные кристаллы дифенила, образующиеся при температуре кристаллизации Т=55°С в интервале переохлаждений дТ = =1-2°, прирастают к подложке гранью {ш} (рис. 10,д). Такие двойники аналогичны формам, возникающим при Т=45°С.
Измерение углов срастания индивидов, выполненное для 200 двойников каждой исследованной.температуры кристаллизации, показало, что углы между индивидами отвечают значениям 102°, 140°, 155° (+1-2°). Как было установлено выше, эти значения углов соответствуют срастаниям по граням {101} , {201} , {301} кристаллографической зоны [010]
Сравнение гистограмм распределения углов двойникового срастания индивидов (рис. II) показывает, что распространенность двойников с перечисленными гранями срастания значительно меняется с температурой. Так, при низких температурах Т=25, 35°С основное количество срастаний происходит по грани {101} (92$ и