Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Орлова, Анна Олеговна
01.04.18
Кандидатская
1984
Москва
175 c. : ил
Стоимость:
499 руб.
ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
§ I. Типы двойников
§ 2. Образование двойников роста
§ 3. Образование сферолитов
Глава II. ИССЛЕДОВАНИЕ УСЛОВИЙ РОСТОВОГО ДВОЙНИКОВАНИЯ НА
МОДЕЛЬНОМ ВЕЩЕСТВЕ
9 I. Дифенил - модельное вещество для изучения
ростового двойникования
§ 2. Методика исследований
§ 3. Морфология двойников роста кристаллов дифенила
§ 4. Кинетические условия образования двойников
роста
Глава III. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СТРУКТУРНЫХ ОСОБЕННОСТЕЙ МОДЕЛЬНОГО ВЕЩЕСТВА НА ДВОЙНИКОВАНИЕ
§ I. Влияние примесей на морфологию кристаллов
дифенила
§ 2. О состоянии поверхностей граней кристаллов
дифенила
§ 3. Условия формирования устойчивости граней и
границ двойникования кристаллов дифенила
§ 4. К вопросу о механизме воздействия примесей
на двойникование дифенила
ГЛАВА ІУ. ПОЯСА ДВОЙНИКОВАНИЯ В КРИСТАЛЛАХ МИНЕРАЛОВ
§ I. Пояса двойникования - типоморфный признак
двойникования минералов
§2.0 поясах двойникования в связи с симметрией
кристаллов
§ 3. Генетическая классификация-двойников пла
гиоклазов
Глава V. УСЛОВИЯ ОБРАЗОВАНИЯ СФЕРОЛИТОВ
§ I. Морфологический ряд кристаллов дифенила
§ 2. Морфологические ряды кристаллов минералов
§ 3. Понятие собственно ростовых сферолитов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
Несмотря на длительную, более, чем вековую, историю изучения процессов двойникования кристаллов и образования сферолитов, эти широко распространенные в природе явления по-прежнему остаются в центре морфологических исследований минералов. В последнее десятилетие особенно явно наметился генетический подход в анализе данных процессов. Многочисленные исследования двойников позволили создать классификации этих кристаллических дефектов не только по морфологическим и симметрийным признакам, но и на основе разграничения причин, вызывающих их образование.
Особое значение в последнее время приобретают исследования процессов двойникования и сферолитообразования в связи с условиями роста кристаллов. Это объясняется необходимостью разработки новых чувствительных морфологических критериев, характеризующих физико-химическую обстановку минералообразующей среды, служащих для решения задач генетической минералогии и петрологии. Понимание механизма влияния условий кристаллизации, структурных особенностей самого кристалла на двойникование и сферолитообра-зование представляет большую практическую ценность при разработке способов устранения подобных дефектов и оптимизации условий получения однородных кристаллов.
В этой связи среди различных типов двойниковых образований кристаллов наибольшую актуальность приобретает изучение собственно ростовых двойников, возникновение которых не связано с действием внешних сил и фазовыми превращениями. Настоящая работа посвящена исследованию условий образования двойников роста, которые являясь результатом комплексного действия внутренних (структура кристалла) и внешних (температура, движущая сила
ке. Индивиды двойника при этом как бы свисают внутрь камеры, что устанавливается по фокусировке объектива микроскопа, различной для шва срастания и ребер [ПО] индивидов двойника.
Морфология двойников, образующихся при температуре кристаллизации Т=35°С в интервале переохлаждений дТ=3-4°, более разнообразна. Наряду с вышеописанными ромбовидными двойниковыми сростках® (рис. 10,6) в этих условиях распространены двойники, индивиды которых сложены гранями {001} , {по} , {III} ,
{201} (рис. 10,в). Этот тип двойников аналогичен ранее рассмотренному макродвойнику. Прирастание таких двойников к подложке происходит гранями {201} двойниковых индивидов. Кроме перечисленных форм двойниковых срастаний здесь встречаются двойники, прикрепляющиеся к поверхности подложки гранью {III} (рис. 10,г). Подобные двойники распространены при росте дифенила при Т=45°С.
Сдвойникованные кристаллы дифенила, образующиеся при температуре кристаллизации Т=55°С в интервале переохлаждений дТ = =1-2°, прирастают к подложке гранью {ш} (рис. 10,д). Такие двойники аналогичны формам, возникающим при Т=45°С.
Измерение углов срастания индивидов, выполненное для 200 двойников каждой исследованной.температуры кристаллизации, показало, что углы между индивидами отвечают значениям 102°, 140°, 155° (+1-2°). Как было установлено выше, эти значения углов соответствуют срастаниям по граням {101} , {201} , {301} кристаллографической зоны [010]
Сравнение гистограмм распределения углов двойникового срастания индивидов (рис. II) показывает, что распространенность двойников с перечисленными гранями срастания значительно меняется с температурой. Так, при низких температурах Т=25, 35°С основное количество срастаний происходит по грани {101} (92$ и
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Абсорбционная микротомография и топо-томография слабопоглощающих кристаллов с использованием лабораторных рентгеновских источников | Золотов, Денис Александрович | 2011 |
Устойчивость системы кристалл-расплав в условиях различных модификаций метода Чохральского | Смирнов, Павел Владиславович | 2004 |
Вопросы калибровочной теории дислокаций и дисклинаций в кристаллах и квазикристаллах | Мусиенко, Андрей Иванович | 1998 |