Разработка методов расчета охлаждающих устройств силовых полупроводниковых приборов в преобразовательной технике

• Автор: Грацианова, Ольга Львовна
• Шифр специальности: 01.04.14
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 205 c. : ил

ОГЛШЕНЖ

ВВЕДЕНИЕ,

Глава I. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЙ РАЗРАБОТОК ОХЛАЖДАЮЩИХ.

УСТРОЙСТВ Е ОБЗОР ОСНОВНЫХ МЕТОДОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЙ. ТЕМПЕРАТУРЫ СИЛОВЫХ. ПШУПРОЕОДНИКОШХ ПРИБОРОЕ Е ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ. ТЕХНИКЕ,

1.1. Цельнометаллические охладителе

1.2. Испарительно-конденсационные охлайддющие устройства

1.3.» Переходные тепловые процессы; в силовых полупроводниковых приборах

1.4. Сев реме иные расчётные методы: контактного теплообмена

1.5. Шведа

Глава 2. РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ РАСЧЕТА ЦЕЛЫТ0МЕТАЛЛ12

ЧЕСКЖ ОХЛАДИТЕЛЕЙ,
2.1. Выбор охладителей при проектировании модуля высоковольтного преобразователя с изотермическим режимом
2.2. Метод;, расчёта теплового, сопротивления, охладителя с радиальным оре.брением;
2.3. Приближенная; методика расчёта теплового сопротивления охладителя
2.4. Пути повышения эффективности цельнометаллических охладителей
2.5. Экспериментальные исследования
2.5.1. Экснсриментальная установка
2.5.2. Рёзультаты; исследований
2.6. Оптимизация параметров оребрения
-ъ~
2.. 7. Выводы
Глава 3. ИСПАРИТЕЛЬНО-КОНДЕНСАЦИОННЫЕ ОХЛАЖДАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА. ДЛЯ МОЩНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКЕ
3.1. Принцип работы и особенности процессов
теплообмена
3.1 Л. Теплообмен в конденсаторе
3.1.2. Теплоотдача:, при кипении на оребрённой поверхности
3.1.3. Распространение теплового потока в, испарительном элементе
3-2.. Метод теплового расчёта испарительно-конденсационного охлаждающего устройства
3.2-1. Пример расчёта устройства для охлаждения.
группы полупроводниковых приборов.,
3.2-.2- Пример расчёта, индивидуального, охлаждающего устройства
3.3. Экспериментальное исследование индивидуального охлаждающего устройства
3.4. Выводы
Глава 4,. НЕСТАЦИОНАРНЫЕ ТЕПЛОВЫЕ РЕЛШЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, В ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
4.І.. Анализ температурного поля, возникающего в многослойной конструкции под действием импульса тока произвольной формы
4*2. Оценка правомернее ти упрощения тепловой модели

4.3. Приближенный метод расчёта, температуры полупроводниковой атруктуры
4.4. Контактный теплообмен в полупроводниковом.
приборе
4.4.1. Обоснование тепловой модели
4.4.2. Сопоставление экспериментальных данных
с. результатами расчётов
4.4.3. Влияние контактного теплообмена, в приборе на. температуру его полупроводниковой структуры .
4.5. Примеры расчёта переходных тепловых режимов,
4.6. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЯ;
П.1. Копии авторского свидетельства и акта.
о внедрении
П.2. Описание комплекса, алгоритмов /прогрммного обеспечения / для теплового расяёта, модуля высоковольтного полупроводникового преобразователя с воздушным охлаждением
Рис. 2.5 Схематическое изображение биметаллического охладителя.