+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Модель обменных связей в низкоразмерном магнетике CuTe2O5 по данным ЭПР и магнитных измерений

Модель обменных связей в низкоразмерном магнетике CuTe2O5 по данным ЭПР и магнитных измерений
  • Автор:

    Гаврилова, Татьяна Павловна

  • Шифр специальности:

    01.04.11

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2010

  • Место защиты:

    Казань

  • Количество страниц:

    116 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
"
Глава 1. Физические свойства низкоразмерных спиновых систем: краткий обзор работ 
1.2. Двумерные системы, спиновые лестницы и другие низкоразмерные системы


Содержание
Введение

Глава 1. Физические свойства низкоразмерных спиновых систем: краткий обзор работ

1.1. Спиновые цепочки

1.2. Двумерные системы, спиновые лестницы и другие низкоразмерные системы

Глава 2. Структура и магнитные свойства СиТе

2.1. Кристаллическая структура

2.2. Микроскопические характеристики СиТе


2.3. Измерения температурной зависимости магнитной восприимчивости в монокристалле СиТе2Оз

2.4. Анизотропия магнитной восприимчивости в монокристалле С11ТЄ2О


2.5. Температурная зависимость магнитной восприимчивости антиферромагнитной цепочки с альтернированным обменным взаимодействием
2.5. Выводы
Глава 3. Характер обменных связей в СиТе205: результаты изучения методом электронного парамагнитного резонанса
3.1. Температурная зависимость спектров ЭПР
3.2. Угловая зависимость спектров ЭПР в монокристалле СиТе
3.3. Описание спектров ЭПР в монокристалле СиТе
3.4 Расчет второго и четвертого момента линии ЭПР
3.5. Выводы
Глава 4. Температурная зависимость теплоемкости в Си Ге^О^
4.1. Теплоемкость решетки
4.2. Вклад спиновых возбуждений в теплоемкость СиТе
4.3. Выводы
Заключение
Литература
Список публикаций автора
Введение
Актуальность темы. Исследования низкоразмерных соединений вызывают большой интерес из-за яркого проявления квантовых эффектов при достаточно высоких температурах. Такие явления как высокотемпературная сверхпроводимость, колоссальное магнетосопротивление, спин-пайерлсовский переход стимулировали исследования низкоразмерных соединений оксидов переходных металлов.
Помимо вышеперечисленных явлений в квазиодномерных соединениях под действием внешнего магнитного поля может наблюдаться упорядоченная спин модулированная структура, например, в соединении 1ЛСиУ04 данный эффект наблюдается в плоскости (аЪ) кристалла при наложении внешнего магнитного поля выше Нсг=6.07 Т и температуре, ниже температуры Нееля [1]. Также в качестве примера можно привести соединение ИаСщОз, где статическая спиновая структура сосуществует со спиральной модуляцией магнитных моментов меди, поляризованных в плоскости (Ъс) [2].
В спин-димерных низкоразмерных системах наблюдаются квантовые явления, связанные с возбужденными триплетами состояниями [3]. Бозе-эйнштейновская конденсация магнонов [4, 5], наблюдена в соединении Т1СиС1з в 2000 г., вигнеровская кристаллизация магнонов обнаружена в димерной системе 8гСи2(ВОз)2 [б]. Эти открытия, сделанные в последнее десятилетие, привлекли дополнительное внимание исследователей к низкоразмерным спиновым системам.
Особенный интерес представляют низкоразмерные кристаллические вещества, включающие в себя ионы переходных металлов с электронной конфигурацией Зс19, например, таких как Си2+. Введение отдельных пар катионов Бе4+ или Те4+ в такие системы может привести к изменению размерности и возникновению новой магнитной структуры [7, 8]. Например, вещество СиТсуОзХг (Х=С1, Вг), состоящее из тетраэдрических кластеров ионов

*У(1,2)
^4С^(3)
4 I 44

Рис. 1.16. Структура стенки УОх -КТ. а - два уровня ионов ванадия смешанной валентности у4+/5+, занимающие позиции V (1, 2), ионы ванадия на позиции У(3) имеют валентность V 4+; б - зигзагообразная цепочка ионов ванадия У (1, 2) в стенке [68]

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.317, запросов: 967