Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау
- Автор:
Калагин, Александр Константинович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
102 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм | Никитина, Екатерина Викторовна | 2006 |
| Оптическая анизотропия поверхностей (001) GaAs и InAs | Гордеева, Анастасия Борисовна | 2013 |
| Исследование эмиссии носителей заряда из квантовых точек и ям In(Ga)As/GaAs в матрицу полупроводника методами фотоэлектрической спектроскопии | Волкова, Наталья Сергеевна | 2014 |