Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5

• Автор: Серебренникова, Ольга Юрьевна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 200 с. : ил.

Глава 1. Методы формирования излучателей и фотоприемников на основе полупроводниковых гетероструктур узкозонных АЗВ5 (литературный обзор)
1.1. Химические особенности узкозонных А3В5
1.1.1. Технология полупроводникового производства лазеров, светодиодов и фотоприёмников на основе узкозонных А3В3
1.1.2. Создание гетероструктур эпитаксиальными методами
1.2. Литография
1.3. Создание контактов (металлургические аспекты, вжигание, гальваника)
1.3.1. Электрические требования с системе
1.3.2. Металлургические требования к системе
1.3.3. Адгезия
1.3.4. Напыление контакта
1.3.5. Вжигание контакта
1.3.6. Пример многокомпонентной контактной системы
1.3.7. Гальваническое осаждение
1.3.8. Создание омического контакта в данной работе
1.4. Жидкостное химическое травление в постростовой технологии
оптоэлектронных приборов
1.4.1. Влияние ориентации поверхности
1.4.2. Влияние состава травителя
1.4.3. Формирование меза-структур
1.5. Пассивация р-п-перехо да
1.5.1. Анодное окисление
1.5.2. Нанесение диэлектрических пленок
Выводы к главе
Глава 2. Создание и исследование светодиодов на основе 1пАв и его твердых растворов

3.4. Создание и исследование фотоприемников с повышенной квантовой эффективностью за счет использования встроенных отражателей
3.4.1. Разработка технологии создания фотоприемника
3.4.2. Формирование встроенных отражателей
3.4.3. Создание и исследование приборов со встроенными отражателями
Выводы к главе
Глава 4. Создание и исследование лазеров, работающих на модах шепчущей галереи, на основе квантоворазмерной гетероструктуры СаАГ^^Ь/СаТпАяБЬ/СаАГ^Ь
4.1. WGM-лазеры
4.2. Создание и исследование WGM-лазеров на основе квантоворазмерной гетероструктуры GaAlAsSb/GalnAsSb/GaAlAsSb (к настоящему моменту)
4.2.1. Гетероструктура GaAlAsSb/GalnAsSb/GaAlAsSb
4.2.2. Создание резонатора дискового WGM-лазера
4.2.3. Измерение спектров люминесценции одиночных WGM-лазеров
4.2.4. Диаграмма направленности дисковых WGM-лазеров
4.3. Исследование поляризации дисковых WGM-лазеров
4.4. Исследование температурной зависимости порогового тока и спектров излучения WGM-лазеров
4.5. Сравнение WGM-лазеров на основе дисковых и кольцевых резонаторов
4.6. Создание и исследование дисковых WGM-лазеров со «связанными» резонаторами
Выводы к главе
Заключение
Основные результаты и выводы
Список основных публикаций по теме диссертации
Список литературы

антиотражающие покрытия из различных диэлектрических пленок (810, 8Ю2, 81зМ4 и др.), удается увеличить выход излучения на 20-30%.
4. Применение специальной конфигурации плоского кристалла для обеспечения «внутренней фокусировки» излучения и увеличения доли генерируемого света, падающего на световыводящую поверхность под углом, меньшим критического. Так, применение мезаструктуры в кристалле с низким коэффициентом поглощения генерируемого излучения позволяет повысить эффективность вывода излучения в 2-3 раза. По-видимому, более эффективно применение мезаструктур, полученных специальным травлением, с отражающей поверхностью, наклоненной под углом около 45° к плоскости р-п-перехода.
5. Создание омических контактов, занимающих незначительную часть площади грани кристалла, с целью уменьшения поглощения света в кристалле в области контакта. Или использование отражающего контакта.
6. Создание многослойных структур переменного состава, позволяющих получить направленные световые потоки и суженную диаграмму направленности излучения. Большие возможности получения направленных световых потоков создает эффект «оптического ограничения», возникающий в двойных гетероструктурах из-за различий в показателях преломления полупроводников различного состава. Эффекту оптического ограничения, или волноводному эффекту, благоприятствует такое распределение показателя преломления, когда он больше в волноводном слое по сравнению с окружающими слоями. Фотоны, генерируемые в активной области, распространяются вдоль волновода с многократным отражением от границ с ограничивающими слоями. Достаточное оптическое ограничение излучения достигается различием показателей преломления волновода и ограничивающих слоев около 0,15-0,2. Вследствие эффекта оптического ограничения резко