Электрофизические процессы в диспергированных электрографических слоях на основе окиси-двуокиси (Рb3О4) и полифазной моноокиси (РbОn) свинца

• Автор: Анисимов, Александр Маркович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 168 c. : ил

Глава I. Высокоомный полупроводник Р&А (сурик)
1.1. Общие сведения о сурике и методы его получения
1.2. Электрические свойства вд
1.3. Поглощение света и фотоэлектрические
свете требований, предъявляемых к злектрофотографи ческим СЛОЯМ
Глава II. Методика получения диспергированных электрофото графических слоев Р63О1, и измерений в эдектро фотографическом режиме. Создание слоев оптималъ
ной структуры
2.1. Получение диспергированных слоев и таблеток
2.2. Методика измерений электрофотографических параметров слоев
2.3. Зависимость параметров ЭФС Р&3О4 от технологии их изготовления. Получение высокочувствительных слоев
Выводы к главе П
ГлаваШ. Спектр локальных состояний и механизм темновой
разрядки ЭФС
3.1. Энергия активации локальных состояний ЭФС
свойства ГО3Ц
Выводы к главе I. Оценка параметров

1^щ , нанесение диэлектрических пленок

3.2. Механизм темновой разрядки электрофотографических слоев на основе т
Выводы к главе Ш
Глава IV. Особенности фоторазрядки слоев РВ3 0/,
4.1. Квантовая эффективность и абсолютный квантовый выход фоторазрядки слоев Р$3
4.2. Анализ моделей фоторазрядки электрофотографических слоев и механизм световой релаксации поверхностного потенциала ЭФсР^О^
Выводы к главе 1У
Глава V. Электрофотографические свойства полифазных окисносвинцовых слоев
5.1. Темновые характеристики полифазных ЭФС
5.2. Особенности фоточувствительности полифазных

5.3. Зависимость параметров окисносвинцовых ЭФС от режима их эксплуатации
Выводы к главе У
Выводы к диссертации
Литература

Актуальность темы. Одной из задач электрофотографии является поиск новых, высокочувствительных материалов, что, в свою очередь, приводит к расширению исследования фотополупроводников и фотодиэлектриков. Одним из сравнительно новых полупроводниковых материалов являются окислы свинца, которые, благодаря своим электрическим, фотоэлектрическим и оптическим свойствам, как явствует из научной и патентной литературы, могут быть использованы в качестве мишеней ви-диконов, электрофотографических слоев, фоторезисторов, фото-вольтаических ячеек солнечных элементов и т.д.
Проводимое в ЛГПИ им.А.И.Герцена под руководством проф. В.А.Извозчикова исследование электрофизических свойств окислов свинца позволило предположить перспективность как электрофотографических материалов слоев Р6Д и полифазных окисносвинцо-вых композиций.
Научная актуальность изучения электрофотографических слоев (ЭФС) Р8Д и полифазных слоев заключается в том, что оно будут способствовать исследованию механизма фотопроводимости и переноса заряда по слою этого нового как полупроводника материала, а также расширит научное представление об электрических
ТУ ТУ
процессах в соединениях типа А Вх с переменной ионно-ковалентной связью и с тенденцией к формированию неупорядоченной структуры.
С практической точки зрения актуальным является исследование возможности использования в электрофотографии в качестве по крайней мере одного из компонентов электрофотографических слоев Р&з 0, как нового, практически не изученного полупроводнике-

временная разрешающая способность осциллографа - ОД с.
Конструктивной особенностью второй экспериментальной установки являлось возможность вакуумирования системы или напуска заранее заданной газовой смеси, проведения измерений в температурном интервале 120-350 К, а также линейного повышения температуры образца от 130 до 350 К со скоростью 0,02 К/с.
Установка состояла из девяти блоков (рис. 2.2.3): измерительной камеры ИК, источника калибровочного напряжения ИКН, генератора высокого напряжения ГЕН, звукового генератора ГЗ, осциллографа 0, усилителя переменного сигнала У, самописца С, генератора пилообразного напряжения ГЕН, монохроматора УМ.
Устройство ИК схематически показано на рис. 2.2.4. Образец 3, предназначенный для измерения, устанавливался на подставку
2. Над образцом помещался датчик I, представляющий собой прозрачную пластинку, на которую нанесен проводящий слой 5п0і. с помощью держателя датчик закреплялся на вибрирующей оси телефона 4. Частота колебаний равна 240 Гц. На расстоянии 30-40 мм над поверхностью слоя помещался электризатор 5, изготовленный из двух тонких вольфрамовых проволок. В данной установке образец всегда неподвижен, при зарядке слоя датчик отводился в сторону при помощи рукоятки 6.
С помощью патрубков 7 осуществлялась откачка камеры и заполнение ее какой-либо газовой смесью. В трубу 8 помещался либо нагреватель 9, либо хладоагент, что позволяло варьировать температуру в широких пределах. Линейный рост температуры осуществлялся подбором режима нагревателя. Вся измерительная камера закрыта металлическим светонепроницаемым экраном 10. Цучок выходящего из монохроматора света направлялся через отверстие в экране на образец.