Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV

• Автор: Бойко, Андрей Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 113 с. : ил.

Глава 1 Обзор литературы

§ 1.1 Аналитические модели роста

1.1.1 Общие проблемы кристаллизации

1.1.2 Рост вицинальных граней

1.1.3 Модель Косселя и Странского

1.1.4 Количественная теория Беккера и Деринга

1.1.5 Понятие о поверхностной миграции

1.1.6 Проблема двумерного зародышеобразования

1.1.7 Теория дислокационного роста

1.1.8 Модель роста поверхности в режиме step - flow

1.1.9 Проблема устойчивости ступени в режиме step — flow

1.1.10 Модель роста поверхности в режиме kink - flow
1.1.11 Устойчивость ступени в режиме kink — flow
§ 1.2 Компьютерные модели роста
1.2.1 Модели эпитаксиального роста
1.2.2 Кинетическая модель роста Solid-on-Solid
Выводы к первой главе
Глава 2 Модель эпитаксиального роста поверхности
§ 2.1 Вицинальная поверхность
2.1.1 Модель вицинальной поверхности
2.1.2 Граничные условия
Заключение Список работ автора Литература

ности слабо скажется на формировании ступени и становиться возможным использование средних времен для корректного описания движения одиночных адатомов по гладким участкам поверхности.
Так как характерные времена элементарных процессов, ответственных за формирование ступени, таких как время отрыва адатома от края ступени (рис. 7в) и время прыжка адатома вдоль края ступени на соседнюю позицию (рис. 7в), в силу наличия добавочных энергий активации, заметно превосходят время ^о. то замена вероятности совершения прыжка средним темпом прыжка для гладкого участка поверхности представляется правомерной. Это соображение весьма важно, так как заменив времена прыжка адатома на гладкой поверхности на среднее, мы сохраняем дисперсию для времен процессов, участвующих в формировании ступени.
2.2.3. Значения параметров модели
Все вышеперечисленные параметры наиболее часто встречаются в процессе расчета, постольку поскольку вероятность обнаружить адатом на поверхности в конфигурациях окружения, приведенных на рисунках 7а-7е, выше, чем, к примеру, адатом, окруженный другими адатомами, как показано на рисунке 7ж. На рисунках 7б-7е адатом находится в контакте с атомной ступенью, а любая отличная конфигурация окружения может возникать либо как результат зародышеобразования, либо как результат столкновения адатома диффундирующего вдоль ступени, с одиночным адатомом, двигающимся по поверхности. Других способов сформировать конфигурацию окружения, отличную от показанной на рисунке 7б-7е не существует. Нас будет интересовать исключительно время образования конфигурации окружения, образованной столкновением адатома вблизи края ступени с дуффундирующим по поверхности адатомом. Оценим отношение среднего времени образования