Исследование эмиссии носителей заряда из квантовых точек и ям In(Ga)As/GaAs в матрицу полупроводника методами фотоэлектрической спектроскопии
- Автор:
Волкова, Наталья Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование эмиссии носителей заряда из квантовых точек и ям In(Ga)As/GaAs в матрицу полупроводника методами фотоэлектрической спектроскопии», автор — Волкова, Наталья Сергеевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Нижний Новгород в 2014 году. Объем работы: 150 с. : ил.. Внутренний код товара: 01007915515. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов | Демин, Вячеслав Александрович | 2008 |
| Кинетика ударной ионизации мелких примесных центров и экситонов в германии | Аснина, Жанна Сергеевна | 1984 |
| Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках | Мицук, Сергей Васильевич | 2008 |