Исследование эмиссии носителей заряда из квантовых точек и ям In(Ga)As/GaAs в матрицу полупроводника методами фотоэлектрической спектроскопии
- Автор:
Волкова, Наталья Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (λ=1.6-1.85 мкм | Лютецкий, Андрей Владимирович | 2009 |
| Разработка и исследование моделей оценки производительности коммуникационных протоколов для каналов с помехами | Талипов Нияз Хатимович | 2016 |
| Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение | Мынбаева, Марина Гелиевна | 2003 |