Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
- Автор:
Яковлев, Георгий Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2018
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
151
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости | Комаров, Евгений Павлович | 2002 |
| Исследование эффектов переключения и памяти в тонкопленочных структурах Me/MeOx/Me на основе полупроводниковых оксидов | Алексеева, Людмила Геннадьевна | 2016 |
| Исследование самоорганизации в структуре поверхности аморфного гидрогенизированного кремния модифицированным методом флуктуационного анализа | Рыбина, Наталья Владимировна | 2013 |