Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
- Автор:
Яковлев, Георгий Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2018
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
151
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников | Бодягин, Николай Викторович | 1998 |
| Влияние возбужденных и волноводных энергетических состояний на характеристики лазеров с квантоворазмерной активной областью | Зубов, Федор Иванович | 2013 |
| Светоэкситоны и неклассические интегральные эффекты в спектрах оптических функций отклика полупроводниковых кристаллов | Московский, Сергей Борисович | 2008 |