Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
- Автор:
Яковлев, Георгий Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2018
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
151
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром | Барышников, Сергей Васильевич | 1999 |
| Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники | Лозовой, Кирилл Александрович | 2016 |
| Исследование временной стабильности и моделирование параметров фотоприемников из антимонида индия с целью оптимизации их конструкции и технологии | Недоруба, Денис Алексеевич | 2004 |