Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
- Автор:
Яковлев, Георгий Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2018
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
151
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием», автор — Яковлев, Георгий Евгеньевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2018 году. Объем работы: 151. Внутренний код товара: 01009772545. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x | Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна | 2003 |
| Электронный спектр в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP | Клочков, Алексей Николаевич | 2015 |
| Спектроскопия колебательных состояний в соединениях со структурой шеелита и твердых растворов на их основе | Нагиев, Вячеслав Мамедович | 1984 |