Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
- Автор:
Яковлев, Георгий Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2018
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
151
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности структуры и колебательные спектры силленитов | Зарецкий, Юрий Григорьевич | 1984 |
| Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором | Кузнецов, Сергей Викторович | 2001 |
| Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O) | Андреев, Вячеслав Эдуардович | 2005 |