Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников

• Автор: Корнев, Константин Петрович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 193 c. : ил

ГЛАВА I. Халькогенидные стеклообразные полупроводники. Исследование плотности состояний и поверхностных свойств
§ 1.1. Энергетическая структура аморфных и
стеклообразных полупроводников
§ 1.2. Методы изучения плотности состояний
§ 1.3. Исследование поверхности полупроводников фотоэмиссионными методами. Поверхностные свойства ХСП
1.3.1. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и метод ЭСХА
1.3.2. Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия
1.3.3. Поверхностные свойства ХСП
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ I. Постановка задачи
Глава II. Методика измерений
§ 2.1. Выбор методики исследования ХСП
§ 2.2. Выбор анализатора энергий фотоэлектронов для исследования фотоэмиссии из ХСП
§ 2.3. Экспериментальная установка
§ 2.4. Разрешение энергоанализатора типа сферического конденсатора с задерживающим полем
2.4.1. Теоретический предел разрешения
2.4.2. Реальное разрешение энергоанализатора

2.4.3. Оценка работы энергоанализатора, используемого в установке
2.4.4. Экспериментальная проверка разрешения энергоанализатора
Глава III. Исследование плотности состояний вблизи вершины валентной зоны ХСП
§ 3.1. Изготовление образцов для исследования
плотности состояний
§ 3.2. Спектр плотности состояний у вершины
валентной зоны ХСП системы Лз- ве-Т&
3.2.1. Теоретические основы расчета плотности состояний по результатам измерения фотоэмиссии
3.2.2. Экспериментальное исследование плотности состояний в ХСП системы Лз~5а~Тб88
§ 3.3. Исследование плотности состояний при переходе от состава ^5Л э к составу
£е3 В системе Аг^-ве
§ 3.4. Плотность состояний у верхнего края валентной зоны трисульфида мышьяка . . . III
§ 3.5. Полученные результаты; обсуждение
Глава IV. Фотоэмисеионные исследования состояния поверхности и фотоструктурных превращений в ХСП . 138
§ 4.1. Исследование состояния поверхности
стеклообразного Лзл после различных обработок: травление в щелочи, азотной кислоте, механическая шлифовка и полировка
_ 4 -

4.1.1. Приготовление образцов
4.1.2. Фотоэмиесионные исследования поверхности
§ 4.2. Влияние окисления и действие органических растворителей на зарядовое состояние поверхности аморфных пленок
4.2.1. Приготовление образцов
4.2.2. Влияние обработок на состояние поверхности
§ 4.3. Изменение состояния поверхности аморфных пленок и пленок системы
при отжиге
§ 4.4. Перераспределение плотности состояний
при фотоструктурных превращениях
4.4.1. Приготовление образцов
4.4.2. Исследование плотности состояний методом УФЭС
§ 4.5. Обсуждение результатов
4.5.1. Изменение состояния поверхности
4.5.2. Фотоструктурные превращения
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- 50 -

Рис. 2.1.1. Зависимость глубины выхода возбужденных фотоэлектронов от энергии [ЬЪ]