Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
- Автор:
Тонких, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
118 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия | Пономарев, Иван Викторович | 2011 |
| Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI) | Кашерининов, Петр Георгиевич | 2010 |
| Получение и свойства ультратонких пленок аморфного кремния и многослойных периодических наноструктур на их основе | Казанцева, Инга Александровна | 2002 |