Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
- Автор:
Тонких, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
118 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4 | Райлян, Валентин Яковлевич | 1984 |
| Оптические, электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия | Форш, Екатерина Александровна | 2013 |
| Спиновые и кинетические явления в наноструктурах и графене | Глазов, Михаил Михайлович | 2012 |