Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
- Автор:
Тонких, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
118 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| ЭПР примесных центров и некоторые СВЧ характеристики слоистых кристаллов | Окулов, Сергей Михайлович | 1984 |
| Когерентная и некогерентная динамика экситонов в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами | Трифонов, Артур Валерьевич | 2016 |
| Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия AIIIBV - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе | Хвостиков, Владимир Петрович | 2003 |