Полупроводниковые элементы интегральной оптики, полученные с использованием ионно-плазменного напыления

• Автор: Скопина, Вера Ивановна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 155 c. : ил

ГЛАВА I. МЕТОД ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
§ 1.1. Физический механизм ионного распыления . . *1А
§ 1.2. Ионно-плазменное напыление пленок
§ 1.3. Магнетронное распыление. Планарный магнетрон
Плазмотрон
§ 1.4. Реактивное магнетронное распыление
§ 1.5. Конструкция планарного магнетрона, используемого в настоящей работе. Технологические
режимы
§ 1.6. Конструкция плазмотрона. Технологические
режимы
§ 1.7. Универсальность ионно-плазменной распылительной установки, содержащей планарный магнетрон и плазмотрон
Глава II. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОЧНЫХ ВОЛНОВОДОВ НА ОСНОВЕ Тяг05,2п0 , Л[г03 , ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАПЫЛЕНИЯ
§ 2.1. Некоторые понятия теории плоских диэлектрических волноводов
§ 2.2. Оптические потери в пленочных волноводах
§ 2.3. Метод призменного ввода. Измерение потерь в пленочных волноводах на основе , 2п0 ,
Л1*03 , полученных ионно-плазменным напылением
§ 2.4. Измерение толщин напыленных диэлектрических
пленок
§ 2.5. Структура напыленных диэлектрических пленок. ?7
Глава III. МОНОЛИТНО-ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЦИЯ ИНЖЕКЦИОННОГО
ГЕТЕРОЛАЗЕРА С НАПЫЛЕННЫМ ВОЛНОВОДОМ
§ 3.1. Инжекционный Со(М)Л* гетеролазер, стыкованный с напыленным пленочным волноводом, -монолитно-гибридный элемент интегральной
оптики
§ 3.2. Технология изготовления меза-яазеров и их
характеристики
§ 3.3. Напыление диэлектрического волновода . . . . Н
§3.4. Эффективность стыковки волновода гетеролазера с напыленным пленочным волноводом . . . . Ш § 3.5. Инжекционный брэгговский гетеролазер с высокой температурной стабильностью длины волны излучения
Глава IV. ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ОТЖИГ АМОРФНЫХ СЛОЕВ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ И КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ НАПЫЛЕНИЕМ
§ 4.1. Получение аморфных слоев фосфида галлия и
кремния
§ 4.2. Лазерный отжиг аморфных слоев фосфида галлия 121 § 4.3. Эпитаксиальная кристаллизация аморфных сдоев
кремния, напыленных на фосфид галлия . . . . Ш § 4.4. Двухдлинноволновый лазерный отжиг аморфных слоев кремния, напыленного на фосфид галлия.

Глава V. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ ЬьУк , ПОЛУЧЕННЫХ ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ НАПЫЛЕНИЕМ, ПРИ РАЗРАБОТКЕ ПЛАНАРНЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ В СИСТЕМЕ Ы-ЬЫ «3
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
Продолжение таблицы 1.5.
I 2 3 4 5 6 7 8 9
ванадий V Лг 3,6 58 80 15 20
-моно Oz +Лг 2 20 48 Т5 1п ВО
двуокись кремния самод.смесь 3 35 40 15 35 83
6(0^ плавлен. кварц Лг 2,7 3 6 3,6 35 90 90 40 90 90 15 10 ю 35 3 7,5 58 15 23 подл.вращается
нитрид кремния £[ -моно ль 2,7 35 40 15 22 74
окись ле ЗО^Оя. + 70%Лг 3 66 80 15 7,5 252
Ой+’Лр 4 96 40 Т5 4Т 6Т
самод.смесь 4 72 40 15 40 90
алюминия Лг 3.6 96 40 Т5 20 6В
сапфир 4 100 90 Iй 2 5 подл.вращается
ниобат (пШз 35 %0ц + 6 5%Лг 4 98 40 14 4 493 плазмот. с пост, магнит.
кристал- Лг' 4 98 40 14 15 494' П
лития лический 35% 0* + 65% Лг 4 72 40 14 1,5 ^:Г2°оё8Всподл*