Механическое двойникование и его влияние на электрические свойства висмута и его сплавов

• Автор: Ланкин, Сергей Викторович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Благовещенск
• Количество страниц: 259 с. : ил.

Содержание
Введение
Глава I. Кристаллическая структура и электрические свойства кристаллов висмута и его сплавов
§1.1. Структура кристаллов типа висмута
§ 1.2. Зонная структура висмута
§ 1.3. Электронные явления переноса в висмуте и его сплавах
Глава II. Методика изучения двойникования и электрических свойств кристаллов
§ 2.1. Технология приготовления бездефектных кристаллов висмута и
его сплавов
§ 2.2. Методика получения двойникованных образцов
§ 2.3. Технология выращивания бикристалла и изготовления из него
термоэлемента
§ 2.4. Методика измерения электрических свойств кристаллов
§ 2.5. Экспериментальные ошибки
Глава III. Механическое двойникование кристаллов
§3.1. Механическое скольжение в кристаллах
§ 3.2. Модель и профиль двойника
§ 3.3. Дислокационное описание двойника
§ 3.4. Гистерезис при двойниковании
Глава IV. Кристаллографические угловые закономерности двойников в кристаллах со структурой висмута
§ 4.1. Определение положения плоскостей двойникования относительно кристаллографических осей кристалла
§ 4.2. Ориентация двойников в образцах висмута

§ 4.3. Определение направления силового воздействия при введении
двойников в висмут
§ 4.4. Кинематические характеристики роста и энергия выхода двойника
Глава V. Явления переноса в двойникованных кристаллах висмута и его сплавов
§ 5.1. Исследование процесса двойникования с помощью электрических измерений
§ 5.2. Комплекс электрических свойств двойникованных образцов висмута
§ 5.3. Диаграммы вращения магнетосопротивления и магнетотермо-
ЭДС двойникованных образцов висмута
§ 5.4. Комплекс электрических свойств двойникованных образцов сплавов висмута с сурьмой, теллуром, оловом и свинцом
Глава VI. Расчет кинетических коэффициентов кристаллов висмута
§ 6.1. Выбор модели для расчета кинетических коэффициентов двойникованных кристаллов висмута
§ 6.2. Расчет составляющих тензора удельного сопротивления двойникованных образцов висмута
§ 6.3. Расчет составляющих тензора коэффициента Холла двойникованных образцов висмута
§ 6.4. Расчет составляющих тензора коэффициента термоЭДС двойникованных образцов висмута
§ 6.5. Описание угловых диаграмм магнетосопротивления двойникованных образцов висмута
§ 6.6. Кинетические параметры носителей заряда в двойникованных кристаллах висмута

Глава VII. Направления практического использования двойникованных кристаллов типа висмута
§7.1. Влияние двойников на ЭДС анизотропного термоэлемента. 212 § 7.2. Слоистый термоэлемент из единого двойникованного
кристалла
§ 7.3. Термоэлемент из бикристалла висмута
Заключение
Литература

Наиболее полный комплект гальваномагнитных коэффициентов получают при исследовании монокристаллических образцов висмута трех ориентаций:
1. Образец типа А. Ток (температурный градиент) направлен вдоль оси Сз, магнитное поле вращается в базисной плоскости.
2. Образец типа В. Ток (температурный градиент) параллелен одной из бинарных осей С2, магнитное поле вращается в плоскости, проходящей через оси Сз и Ci.
3. Образец типа С. Ток (температурный градиент) направлен вдоль биссекторной оси Ci, магнитное поле вращается в плоскости, проходящей через оси Сз и Ci-
Образец типа А.
j, — j2 — О, В, = Beos©,
В2 = Bsin©,
j3 = J » вз
Угловые диаграммы имеют вид > (1-24)
Еj/j = Р33 + Рззпв »
Eg/j = (P23n 3"р2зп)sin30В2,
BÜB]/j = (p231 +P23l)B + (P2311 +p23ii)C0s3©B2