Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
- Автор:
Потанахина, Любовь Николаевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
144 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4 | Райлян, Валентин Яковлевич | 1984 |
| Периодические оптические неоднородности в полупроводниковых волноводных гетероструктурах | Смирницкий, Владимир Борисович | 1984 |
| Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами | Солонин, Александр Павлович | 2009 |