Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
- Автор:
Потанахина, Любовь Николаевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
144 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN», автор — Потанахина, Любовь Николаевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ульяновск в 2006 году. Объем работы: 144 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003305760. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование и свойства наногетероструктур на основе кремния и дисилицида железа | Чусовитин, Евгений Анатольевич | 2009 |
| Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах | Новиков, Владимир Александрович | 2007 |
| Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN | Усов, Сергей Олегович | 2016 |