Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
- Автор:
Потанахина, Любовь Николаевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
144 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Динамика фазовых превращений релаксорных сегнетоэлектриков в спектрах комбинационного рассеяния света | Рогачева, Екатерина Александровна | 1999 |
| Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175) | Капралов, Александр Владимирович | 2004 |
| Кр-теория возмущений и метод инвариантов в теории гетероструктур на основе многодолинных полупроводников с вырожденными зонами | Миронова, Мария Сергеевна | 2014 |