Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
- Автор:
Потанахина, Любовь Николаевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
144 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs | Самойлов, Виктор Александрович | 2000 |
| Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников | Татаринцев, Александр Владимирович | 2006 |
| Моделирование роста атомно-тонких пленок на подложках со сложной морфологией | Зверев, Алексей Викторович | 2006 |