Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
- Автор:
Потанахина, Любовь Николаевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
144 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN», автор — Потанахина, Любовь Николаевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ульяновск в 2006 году. Объем работы: 144 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003305760. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии | Светухин, Вячеслав Викторович | 1999 |
| Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников | Гусейханов, Магомедбаг Кагирович | 1999 |
| Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала | Карташова, Анна Петровна | 2010 |