Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3

• Автор: Курбанов, Элмхан Мадад оглы
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Баку
• Количество страниц: 178 c. : ил

ГЛАВА I. КРАТКИЕ СВЕДЕНИИ О СИСТЕМЕ 1/7

§ I. Диаграмма состояния системы Іп-Я

§ 2. Кристаллическая структура соединении 1л

1п$ 8 у > Тг>2 83

§ 3. Литературный обзор по физическим

свойствам сульфида индия

ГЛАВА 2. СИНТЕЗ И ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ

СОЕДИНЕНИЙ 1л 8 .... и р-1л283

§ I. Синтезирование соединений 1п8 и

Л1пг4

§ 2. Получение моноіфисталлов соединения 1п8

ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ГАЛЪВАНОМАШИТНЫЕ СВОЙСТВА
МОНОКРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЙ /л 8 и р-1п2$з
§1. Методика измерения
§ 2. Температурная зависимость электропроводности и коэффициента Холла монокристаллов соединения 1п$
§ 3. Механизм рассеяния электронов в Іл
§ 4. Исследование гальваномагнитных свойств
монокристаллов соединения
§ 5. Температурная зависимость подвижности
электронов В соединении р- Тп2 83
§ 6. Температурная зависимость термо-э.д.с.
соединения Г - Тп283
§ 7. Вольтамперная характеристика (ВАХ)
монокристаллов соединения ІпЯ

ГЛАВА 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЛКМИНЕСЦЕНТНЫЕ
СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ № И р-1п2$3
§ I. Фотопроводимость монокристаллов соеди
нений 1п8 и р-1п283
§ 2. Люкс-амперная характеристика (ЛАХ) монокристаллов соединений 1п8 и р-1п283
§ 3. Кинетика собственной проводимости в
1/7 8 И Е~1п 2 8з
§ 4. Термостимулированная проводимость (ТСП)
монокристаллов 1п8 и р--Гл283
§ 5. Спектральное распределение стационарной фотопроводимости в монокристаллах 1п8 и р-1п283
§ 6. Осцилляция собственной фотопроводимости
В Т/7 8 и
§ 7. Фотолюминесценция монокристаллов соединений
1л8 И р-1п2$3
ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ ВЫВСДЫ
ЛИТЕРАТУРА

Актуальность темы. Бурное развитие современной техники выдвигает новые повышенные требования к полупроводниковым материалам и приборам на их основе. Для их удовлетворения стало необходимым существенно повысить параметры применяемых в настоящее время полупроводниковых материалов. Вместе с тем для решения ряда проблем перед полупроводниковой физикой и электроникой ставятся важные задачи: изыскание новых и исследование малоизвестных полупроводниковых соединений, разработка методов их синтеза, очистки, легирования и получения совершенных кристаллов высокой чистоты. В последние годы уделяется большое внимание к полупроводниковым соединениям типа А%^ и А^Вд1, обладающими разнообразными интересными физическими свойствами. Среди этих соединений 1п8 является малоизученным, а /-1п283 вообще не изучено. Это связано с трудностями технологии получения однородных кри -сталлов сульфидов индия достаточных размеров с заданными электрическими параметрами.
Как известно, соединения сульфидов индия кристаллизуются в дефектных структурах и имеют большие стехиометрические вакансии
от о
порядка ~1Сг см . Такие дефекты нарушают периодичность потенциала кристаллической решетки и в запрещенной зоне появляются разрешенные локальные оостояния, которые участвуют в процессах генерации и рекомбинации неравновесных носителей тока и имеют важное значение при разработке материалов и приборов с заданными характеристиками. В одних случаях такие центры придают полупроводнику и полупроводниковой структуре желаемые, а в других -нежелаемые свойства. С целью объяснения фотоэлектрических свойств и управления скоростью рекомбинации носителей в полупроводнике необходимо получать полную информацию об энергетическом спектре

Таким образом, средняя величина погрешности при измерении электропроводности не превышает 6*7$. Поскольку средняя погрешность в осношом определяется погрешностью измерения размеров образца, которые являются постоянными в цикле измерений, то эта погреш -ность не искажает температурной зависимости электропроводности
б(т)
Расчет коэффициента Холла производился по формуле
ц = 10е У*'и (см3)
1-Я Кл (3.3)
где /х - среднее значение э.д.с. Холла ( В ), Н - интенсив -ность магнитного поля (эрот).
Погрешность измерений коэффициента Холла определялась по формуле, аналогичной выражению (3.2). Общая средняя погрешность измерения коэффициента Холла не превышает 5$ и она также не влияет на ход температурной зависимости £ (Г). Поскольку ошибки в определении величины магнитного поля И , измеряемого при помощи измерителя магнитной индукции типа ШИ-3, были не более 2%.
Из одновременного измерения б и /? Холловская подвижность вычислялась по формуле
т = * (Ж)
Погрешность в оцределении у , связанная с погрешностями в оп -ределении б и /? , составляет приблизительно 10*12$. Однако
температурная зависимость (7”), погрешность измерения кото -рой оцределяется только случайными ошибками, может быть вычислена с точностью 3*4$.
В монокристаллических образцах 1п 8 и 1пг носителями тока являются электроны и подвижность их не превышает 100 см^/В-с.