Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3
- Автор:
Курбанов, Элмхан Мадад оглы
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Баку
- Количество страниц:
178 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта "усталости" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках | Чернышев, Андрей Викторович | 1983 |
| Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников | Савинов, Иван Сергеевич | 2006 |
| Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа | Давлеткильдеев, Надим Анварович | 2000 |