Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности

• Автор: Маслов, Александр Юрьевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 246 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ

В.1 Общая характеристика работы

В.2 Электронные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах

I ЗАКОНЫ ДИСПЕРСИИ ВОЗБУЖДЕНИЙ ЭКСИТОН-НОГО ТИПА В МАГНИТНОМ ПОЛЕ

1.1 Введение

1.2 Движение экситона Мотта поперек магнитного поля

1.3 Движение экситона в квантовой яме и в магнитном поле, перпендикулярном плоскости ямы

1.4 Магнитоэкситоны в квантовых ямах конечной ширины

1.5 Выводы
II НИЗКОЧАСТОТНЫЕ СВОЙСТВА КВАЗИДВУМЕР-НЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В ЛЕГИРОВАННЫХ СТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
II.1 Введение
П.2 Акустические плазмоны в отдельной квантовой яме 73 П.З Корреляция продольной и поперечной локализации электронов на флуктуациях ширины квантовой ямы
П.4 Предедьная подвижность двумерного электронного газа в гетероструктурах на основе твердых растворов полупроводников
П.5 Выводы

III СПОНТАННОЕ ОБРАЗОВАНИЕ ОДНОМЕРНЫХ СТРУКТУР В ТВЁРДЫХ РАСТВОРАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
111.1 Введение
111.2 Термодинамический критерий неустойчивости однородного твердого раствора
111.3 Спинодальный распад вблизи критической температуры
111.4 Равновесная структура двухфазных систем вблизи критической температуры
111.5 Когерентное разделение фаз в четверных твердых растворах полупроводников А^В^ при произвольных температурах и составах
111.6 Возможности появления объемных термодинамических неустойчивостей
111.7 Влияние одномерного беспорядка на экситонные спектры твердых растворов
111.8 Выводы
IV УСИЛЕНИЕ ГИПЕРКОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В ЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИ-
КОВЫХ СТРУКТУРАХ
IV.1 Введение
IV.2 Гиперкомбинационное рассеяние света
IV.3 Электромагнитные волны в неоднородном слое
IV.4 Коэффициент усиления
IV.5 Электромодуляция гиперкомбинационного рассеяния света
IV.6 Выводы

V ПОЛЯРОНЫ БОЛЬШОГО РАДИУСА В НАНОСТРУКТУРАХ
У.1 Введение
У.2 Полярон Пекара
У.З Поляроны в наноструктурах
У.4 Поляронные состояния в квантовой яме при учете
непараболичности зонного спектра
У.5 Межуровневые электронные переходы
У.6 Поляронный экситон
У.7 Межзонные переходы в квантовой точке
У.8 Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

ямы можно описать аналитически в случае сильных магнитных полей, когда выполняется условие (1.4).
Энергия связи двумерных экситонов в магнитном поле неоднократно исследовалась теоретически как аналитическими, так и численными методами [59-63]. Однако основное внимание при этом уделялось вычислению спектра неподвижного экситона. Зависимость энергии экситона от двумерного импульса его центра тяжести в плоскости ямы р было рассмотрено в работе Лернера и Лозовика [46]. При этом фактически была исследована область магнитных полей, в которой выполняется условие
а и М х ’
При большой разницы масс дырки и электрона это неравенство выполняется при значительно больших магнитных полях, чем обычное условие сильного магнитного поля (1.4), и даже при больших полях, чем условие (1.5), использованное в работе Горькова и Дзялошинского [37]. Кроме того, в работе [46] рассматривалась двумерная задача и не учитывалось возможное влияние конечной ширины квантовой ямы на спектр диамагнитного экситона. При этих условиях было показано, что с ростом р происходит равномерное увеличение средного расстояния между электроном и дыркой р(р) = гР = рац/%. Трансляционная ’’магнитная” масса экситона растет с магнитным полем пропорционально л/Н и не зависит от значений масс электрона и дырки тое и гад.
Ниже показазано, что в области магнитных полей, когда реализуется неравенство, обратное (1.31), а именно
- » (1-32)

характер относительного движения электрона и дырки качественно меняется даже в приближении двумерного экситона. Изменение среднего расстояния между электроном и дыркой с ростом р происходит аналогично изменению этого расстояния в трехмерном случае в магнитных полях (1.6): в области малых значений р среднее значения ~р оказывается много меньше величины ра/%. Затем, при достижении некоторого значения р = рс происходит резкое увеличение среднего рассто-