Массоперенос в полупроводниковых материалах с участием жидкой фазы

• Автор: Саланов, Андрей Александрович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Ульяновск
• Количество страниц: 137 с. : ил.

Глава 1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования
1.1. Включения в монокристаллических матрицах. Механизмы их возникновения и влияние на электрофизические свойства полупроводниковых структур
1.2. Транспорт включений во внешних возмущающих полях
1.3. Особенности транспортных процессов в электрическом поле
1.3.1. Электроперенос компонентов в монокристалличе-ской матрице и в объеме включения
1.3.2. Роль термоэлектрических параметров при вытеснении включений вторых фаз из объема монокри-сталлической матрицы
1.4. Термоэлектрические свойства полупроводниковых материалов и межфазных границ бинарных сис-
♦ тем
Выводы
Глава 2. Массоперенос примеси в монокристаллических полупроводниках с участием жидкой фазы
2.1. Методические особенности экспериментального исследования миграции расплавленных включений в полупроводниковых системах (СаБЬ-Бп, А§-Те и
2.1.1. Выращивание монокристаллов теллура
2.1.2. Подготовка образцов и методы нанесения примеси,
0 участвующей в формировании включений вторых

2.1.3. Высокотемпературный отжиг в постоянном и импульсном электрическом поле

2.1.4. Методы оценки размеров мигрирующих включений и глубины их проникновения
2.2. Миграция расплавленных включений в постоянном элек-' ■ трическом поле
• Система А1
• Система ОаБЬ-Зп
ф 2.3. Влияние осевого температурного градиента на электромиграцию расплавленных включений
2.4. Роль импульсного токового воздействия на тепловые и
транспортные процессы в полупроводниках
2.4.1. Электромиграция жидких включений на основе алюминия в монокристаллах кремния при импульсном электрическом воздействии
2.4.2. Тепловой режим слоев металлизации на кремнии при импульсном токовом воздействии
2.4.2.1. Изготовление тестовых структур
& 2А.2.2. Программно-аппаратный комплекс для исследования системы металлизации А1-81 при импульсном токовом воздействии
Глава 3. Термоэлектрические свойства сплавов полупроводникметалл
3.1. Температурные измерения абсолютной термо-эдс сплавов
3.1.1. Методическое обеспечение эксперимента
3.1.1.1. Подготовка материалов
ф 3.1.1,2. Программно-аппаратный комплекс для исследования температурных зависимостей коэффициента Зеебека

3.1.1.3. Влияние скорости нагрева на точность измерения абсолютной термо-эдс исследуемых систем (на примере теллура)
* 3.1.2. Система GaSb-Sn
3.1.3. Система Ag-Te
3.1.4. Система In-Те
3.1.5. Система Bi-Te

3.2. Определение коэффициента Пельтье межфазного перехода твердая фаза-расплав по динамике кристаллизации расплава в электрическом поле
3.2.1. Подготовка образцов и настройка измерительной
установки
3.2.2. Изменение коэффициента Пельтье межфазного перехода твердая фаза-расплав при введении металлической примеси в полупроводниковую матрицу
# Выводы
Литература

проводниках. Рассмотрим результаты проведенных исследований именно в этой последовательности.
Система А/-5/. Электроотжиг производился в течении 3-х часов при плотности тока 7,5-105 А/м2 (7=12 А). Для исключения искажающей роли поверхностной миграции, на каждом образце после высокотемпературной обработки сошлифовывался поверхностный слой толщиной 300...500 мкм.
Учитывая, что поперечный размер включения, как правило, существенно меньше глубины его проникновения в объем монокристаллической матрицы, за величину пробега расплавленной зоны всегда принимали расстояние от лобовой части включения до границы стыковки полупроводниковых брусков.
На рисунке 2.9. приведены типичные результаты исследований удовлетворяющие эмпирической зависимости
1У4 = а+Ъ£. (2.5)
Здесь - скорость миграции расплавленных зон при плотности тока у.
УТ#, 10“14 м3/(А-с)
Рис.2.9. Размерная зависимость объемной миграции включений А1-81 в постоянном электрическом поле (Т=1173 К).