Теория кинетических и размерных эффектов, обусловленных вырождением зон в полупроводниках
- Автор:
Хаецкий, Александр Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
147 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения | Борисова, Дарья Александровна | 2013 |
| Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе | Бадгутдинов, Мансур Лябибович | 2007 |
| Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения | Требунских, Сергей Юрьевич | 2006 |