Теория кинетических и размерных эффектов, обусловленных вырождением зон в полупроводниках

• Автор: Хаецкий, Александр Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 147 c. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ СТР‘

ГЛАВА I. РЕЛАКСАЦИЯ НЕРАВНОВЕСНОЙ МАТРИЦЫ
ПЛОТНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
С ВЫРОЖДЕННЫМИ ЗОНАМИ
§1. Введение
§ 2. Матрица плотности
§ 3. Интеграл столкновений
§ 4. Релаксация матрицы плотности
§ 5. Полевые члены в кинетическом уравнении
Глава II. ВЛИЯНИЕ СПИН-ОРБИТАЛЬНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ
НА МАГНЕТОС(ПРОТИВЛЕНИЕ И ЭФФЕКТ ХОЛЛА
В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
§1. Введение
§ 2. Вычисление магнетосоцротивления и
постоянной Холла для электронов
в полуцроводнике типа з^ь
§ 3. Вычисление магнетосоцротивления и
постоянной Холла для электронов
в бесщелевом полупроводнике
Глава III. РЕКОМБИНАЦИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ
В БЕСЩЕЛЕВОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ
§1. Введение
§ 2. Оже - рекомбинация
§ 3. Рекомбинация с испусканием оптического
фонона
Глава IV. ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ В БЕСЩЕЛЕВОМ
ПОЛУПРОВОДНИКЕ

§1. Введение
§ 2. Поверхностные состояния в бесщелевом полупроводнике в отсутствие спин
орбитальной связи
§ 3. Поверхностные состояния в реальных
бесщелевых полупроводниках
§ 4. Магнитные поверхностные уровни в бесщелевом полупроводнике
Глава V. РАЗМЕРНОЕ КВАНТОВАНИЕ ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКЕ СО СЛОЖНОЙ ВАЛЕНТНОЙ ЗОНОЙ И НОСИТЕЛЕЙ В БЕСЩЕЛЕВОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ ИЗ
§ I. Введение
§ 2. Расчет спектра размерного квантования дырок и носителей в бесщелевом полу
Проводнике
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ I
ПРИЛОЖЕНИЕ П
ЛИТЕРАТУРА

Во многих полупроводниках кубической симметрии энергетические зоны являются вырожденными. К ним относится широкий класс веществ от традиционных, широко используемых в технике,
структуру и состоит из зоны легких и тяжелых дырок (см.рис.1). В центре зоны Бриллюена имеется четырехкратное вырождение (представление Гд). Каждая из зон двукратно вырождена по проекции момента на направление импульса.
также характеризуется наличием точки вырождения при К -О,
проводимости, а вторая - валентной зоной, так что запрещенная зона отсутствует /1-37 (см.рис.2). Характерной особенностью описанных полупроводников является наличие сильного спин-орби-тального взаимодействия.
Сложная структура зон обуславливает специфику кинетических и размерных явлений в таких полупроводниках. Так, сильное спин-орбитальное взаимодействие приводит к взаимному превращению потоков частиц и их спиновых потоков при рассеянии. При наличии магнитного поля его взаимодействие со спином приводит, благодаря спин-орбитальной связи, к дополнительному воздействию на орбитальное движение (и наоборот). Таким образом, спи -новые и транспортные явления не могут быть разделены.
При рассмотрении кинетических и размерных явлений необходимо учитывать возможность превращения при рассеянии легких
полупроводников: (те , , «ЗиЛе , (>сиЯ^ до полуметаллов
бесщелевых полупроводников -2 э сС-£п , е .
Валентная зона полупроводников типа (>•£ имеет сложную
Зонная структура бесщелевых полупроводников тип
При этом одна из зон, сходящихся при РГ =• О, является зоной

моментам исследовать любые (не квантовые) кинетические явления, обусловленные носителями в сложной зоне. В следующей главе мы рассмотрим электропроводность в магнитном поле и изучим влияние эффектов, возникающих за предел ил и борновского приближения, на магнетосопротивление и эффект Холла.