Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
- Автор:
Бадгутдинов, Мансур Лябибович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
110 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе», автор — Бадгутдинов, Мансур Лябибович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 2007 году. Объем работы: 110 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003346739. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование низкоразмерного полупроводникового силицида магния и наногетероструктур на его основе | Галкин, Константин Николаевич | 2009 |
| Электронное упорядочение и фазовые переходы в кристаллах с узкими зонами проводимости | Лопатюк, Сергей Владимирович | 1984 |
| Рост и спектрально-люминесцентные свойства монокристаллов Na0,4 (Y,R)0,6 F22 (R-редкоземельные ионы) в коротковолновом диапазоне длин волн | Каримов, Денис Нуриманович | 2003 |