Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
- Автор:
Бадгутдинов, Мансур Лябибович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
110 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе», автор — Бадгутдинов, Мансур Лябибович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 2007 году. Объем работы: 110 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003346739. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов | Павлык, Александр Владимирович | 2005 |
| К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках | Малышев, Андрей Викторович | 1999 |
| Моделирование квантового электронного транспорта в разветвлённых полупроводниковых структурах с пониженной размерностью | Цуриков Давыд Евгеньевич | 2015 |