Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
- Автор:
Бадгутдинов, Мансур Лябибович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
110 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование магнитооптических и трехосевых холловских датчиков | Чесницкий, Антон Васильевич | 2018 |
| Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия | Криворотов, Николай Павлович | 2002 |
| Наноразмерные структуры Si/SiO2 и сенсоры на их основе | Наумова, Ольга Викторовна | 2012 |