Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
- Автор:
Бадгутдинов, Мансур Лябибович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
110 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках | Мицук, Сергей Васильевич | 2008 |
| Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором | Кузнецов, Сергей Викторович | 2001 |
| Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля | Келбиханов, Руслан Келбиханович | 2008 |