Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6

• Автор: Хамидов, Марасилав Магомедович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Махачкала
• Количество страниц: 218 с. : ил.

ГЛАВА I ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В
СОЕДИНЕНИЯХ А2В6 (обзор литературных данных)
§ 1.1 Классификация центров с глубокими уровнями в
полупроводниках
§ 1.2 Методы исследования глубоких центров в
полупроводниковых материалах
§ 1.3 Фотоактивационные процессы с участием электронных и дырочных ЦП. Индуцированная примесная фотопроводимость
§ 1.4 Термоактивационные процессы с участием электронных ЦП
1.3.1 Теория термостимулированных процессов
1.3.2 Анализ формы спектров ТСТ и ТСЛ и методы определения характеристических параметров ловушек
1.3.2 Методы контроля достоверности данных оценки характеристических параметров ЦП
§ 1.5 Структурные дефекты и их ассоциаты в кристаллах
соединений А2Вб
1.5.1 Центры, обусловленные собственными дефектами в сульфиде, теллуриде и селениде цинка
1.5.2 Примесные центры связанные с Ag и Си
1.5.3 Глубокие центры, контролирующие фоточувствительность
ВЫВОДЫ
ГЛАВА II МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
§ 2.1 Экспериментальные установки
§2.2 Методика обработки данных эксперимента
§ 2.3 Характеристика исследованных образцов

ГЛАВА III ПРИРОДА И ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В НЕАКТИВИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛАХ гпБе § 3.1 Термоактивационные процессы с участием электронных ЦП
в неактивированных кристаллах гпве
3.1.1 Характеристические параметры электронных ЦП
3.1.2 Характер термоопустошения электронных ЦП
§ 3.2 Индуцированная примесная фотопроводимость в
неактивированных кристаллах 2п8е
3.2.1 Спектральное распределение ИПФ
3.2.2 Метод «оптической очистки»
3.2.3 Кинетика ИПФ
§ 3.3 Квазилинейчатые спектры примесной фотопроводимости в
неактивированных кристаллах 2п8е
§ 3.4 Оптически активные центры рекомбинации
§ 3.5 Обсуждение экспериментальных результатов
3.5.1. Оптически неактивные электронные ЦП Ес -(0.11 - 0.56) эВ
3.5.2. Оптически активные электронные ЦП и ЦР
3.5.3 Квазилинейчатые спектры ПФ и их связь ДАП
ВЫВОДЫ
ГЛАВА IV ДВУХУРОВНЕВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ И ДЫРОЧНЫЕ
ЛОВУШКИ В КРИСТАЛЛАХ р-2пТе, п-ХпБ § 4.1 Двухэлектронные и двухдырочные медленные ЦП
и ассоциаты с их участием в кристаллах п-2п8 и р-2пТе

4.1.1 Термостимулированные токи и характеристические
параметры ловушек
4.1.2 Спектры ИПФ. Спектральный сдвиг полос ИПФ
§ 4.2 Вакансионно-примесные модели центров прилипания
§ 4.3 Обсуждение экспериментальных результатов
4.3.1 Фотоэлектрические свойства
4.3.2 Энергетический спектр ЦП
4.3.3 Концентрационное распределение ВПП
4.3.4 Кинетические свойства
§ 4.4 Гипотеза о характере пространственного распределения
атомов ВПП в структуре макроскопической
неоднородности § 4.5 Глубокие центры с возбужденным состоянием в
кристаллах р-2п Те
ВЫВОДЫ
Г Л А В А V ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ЯВЛЕНИЯ НЕТЕПЛОВОЙ ДИФФУЗИИ И АССОЦИАЦИИ ДОНОРОВ § 5.1 Фотостимулированная ассоциация донор-донорных
молекул в кристаллах гпБе
5.1.1 Методика эксперимента
5.1.2 Обратимые фотостимулированные преобразования
быстрых электронных ловушек в ZnSe
§ 5.2 Фотостимулированная ассоциация „ молекул
в кристаллах 2п8е
5.2.1 Экспериментальные результаты
5.2.2 Модели электронных центров. Механизм ФХР
5.2.3 Факторы, стимулирующие диффузию доноров
5.2.4 О кинетических особенностях фотоассоциации доноров
§ 5.3 Термостимулированные токи в кристаллах 2п8е

§ 5.4 Роль крупномасштабных нарушений кристаллической

та. Для нагрева образца используется электрический нагреватель. С целью поддержания промежуточной температуры в диапазоне Т= 90 - 295 К в корпус держателя образцов вмонтирована печь накаливания малой мощности. Температура фиксируется медь - константановой термопа-рой.Вакуум в криостате создается путем использования обычной вакуумной техники, позволяющей получать давление порядка 1.33 10'3 Па.
Криостат 14 крепится на корпусе ИКС-14А таким образом, чтобы специально вырезанное выходное окно прибора было совмещено с входным окном криостата изготовленного из КВг. Монохроматический свет выводился из ИКС-14А с помощью сферического зеркала 9, дополнительно вмонтированного в прибор, фокусировался на образце 1 с помощью сферического зеркала 10. В зависимости от спектрального диапазона измерений использовались призмы 11: из стекла Ф1 (А, =0.7-2.5 мкм); 1лБ (А,=2.0-6.5мкм); ЫаС1(А,=6-15мкм).
Модуляция Ж излучения осуществлялась механическим модулятором 13 (£ =20-200 Гц). Управление квазиуровнем Ферми, исследуемого полупроводника, осуществлялось облучением его интегральным светом от лампы накаливания Б или монохроматическим светом, выделяемым с помощью фильтров. Фокусирование его на образец производилось системой линз 12. Для регулирования интенсивности интегрального (собственного) света использовались калиброванные нейтральные сетки.
В качестве источника напряжения в электрической цепи (рис.
1.4.2) использовалась батарея (Бн) 100-АМГЦ-У с значениями питающего напряжения 50, 75, 100 В. При снятии ВАХ вместо батареи (Б„) подключался стабилизированный источник постоянного напряжения Б5-45. В зависимости от режима исследований и величины электрического сигнала в цепь образца с помощью кнопочного переключателя К можно подключать: микроамперметр типа М95 (цА) с дополнительным шунтом Р-4; вы-