Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si
- Автор:
Круглова, Марина Вячеславовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
167 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si», автор — Круглова, Марина Вячеславовна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Нижний Новгород в 2009 году. Объем работы: 167 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004626907. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях | Колобаев, Виктор Валентинович | 2001 |
| Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe | Низаметдинова, Мунира Анваровна | 1984 |
| Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te | Дьяков, Сергей Николаевич | 2000 |