Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si
- Автор:
Круглова, Марина Вячеславовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
167 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов | Ушаков, Виктор Валентинович | 1985 |
| Особенности электронно-энергетического строения и оптических свойств нанокомпозитов с железом и кобальтом в пористом кремнии | Леньшин, Александр Сергеевич | 2009 |
| Динамика электронных состояний в слоистых системах на основе эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок | Кожухарь, Анатолий Юрьевич | 2005 |