Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si
- Автор:
Круглова, Марина Вячеславовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
167 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Взаимодействие элементарных возбуждений полупроводниковых наноструктур с акустическими и электромагнитными полями | Ковалёв Вадим Михайлович | 2017 |
| Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия | Гамарц, Андрей Емельянович | 2006 |
| Электрические свойства сверхрешеток из квантовых точек | Дмитриев, Иван Александрович | 2002 |