Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
- Автор:
Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Махачкала
- Количество страниц:
179 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование фотоэлектрических процессов в фотоприемниках на основе диодов Шоттки и приборов с зарядовой связью | Уздовский, Владимир Валерьевич | 2005 |
| Методы формирования трёхмерных микро- и наноструктур на основе напряжённых SiGe/Si плёнок | Голод, Сергей Владиславович | 2006 |
| Структура и проводимость тонких пленок жидкого диэлектрика на поверхности твердого тела | Иванов, Игорь Владимирович | 1997 |