Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
- Автор:
Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Махачкала
- Количество страниц:
179 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода | Махиборода, Максим Александрович | 2011 |
| Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм | Усиков, Александр Сергеевич | 1983 |
| Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs | Новиков, Иннокентий Игоревич | 2005 |