Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
- Автор:
Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Махачкала
- Количество страниц:
179 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью | Когновицкая, Елена Андреевна | 2005 |
| Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов CaInAsSb | Куницына, Екатерина Вадимовна | 1999 |
| Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si | Якушев, Максим Витальевич | 2011 |