Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
- Автор:
Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Махачкала
- Количество страниц:
179 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x», автор — Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Махачкала в 2003 году. Объем работы: 179 с.. Внутренний код товара: 01002615899. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Омические контакты металл-карбид кремния | Растегаева, Марина Геннадьевна | 1999 |
| Полупроводниковые микролазеры на основе резонаторов с модами шепчущей галереи | Крыжановская Наталья Владимировна | 2018 |
| Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем | Мирошников, Борис Николаевич | 2016 |