Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм
- Автор:
Усиков, Александр Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
209 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм», автор — Усиков, Александр Сергеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ленинград в 1983 году. Объем работы: 209 c. : ил. Внутренний код товара: 01003433708. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках | Хамидуллина, Наталья Мугалимовна | 1984 |
| Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2 | Малявка, Лариса Васильевна | 1999 |
| Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами | Усикова, Анна Александровна | 2011 |