Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм
- Автор:
Усиков, Александр Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
209 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита | Шмидт, Екатерина Вадимовна | 2009 |
| Одномерная электронная жидкость на краю двумерной электронной системы в режиме квантового эффекта Холла | Девятов, Эдуард Валентинович | 2013 |
| Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) | Настовьяк, Алла Георгиевна | 2010 |