Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм
- Автор:
Усиков, Александр Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
209 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм», автор — Усиков, Александр Сергеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ленинград в 1983 году. Объем работы: 209 c. : ил. Внутренний код товара: 01003433708. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия | Бланк, Татьяна Владимировна | 2000 |
| Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения | Борисова, Дарья Александровна | 2013 |
| Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами | Винников, Александр Яковлевич | 1983 |