Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм
- Автор:
Усиков, Александр Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
209 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние деформации на зарядовое упорядочение в кристаллах | Ткач, Валентин Иванович | 1984 |
| Влияние электрического поля на электронные процессы в стеклообразных полупроводниках | Файрушин, Альберт Рафикович | 2004 |
| Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в твердых растворах AlxGa1-xAs | Маркосов, Максим Сергеевич | 2008 |