Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм
- Автор:
Усиков, Александр Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
209 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента | Сачков, Виктор Анатольевич | 2011 |
| Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера | Усачев, Павел Анатольевич | 2001 |
| Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP : МОС-гидридная эпитаксия, свойства и применения в оптоэлектронных приборах | Лабутин, Олег Анатольевич | 1999 |