Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs
- Автор:
Новиков, Иннокентий Игоревич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
98 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Дефекты с глубокими уровнями в структурах А3В5 и их взаимодействие с квантовыми точками | Соболев, Михаил Михайлович | 2004 |
| Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ | Кеслер, Валерий Геннадьевич | 2005 |
| Динамика дефектной структуры и акустическая эмиссия в кремнии при электрических и механических возмущениях | Соловьев, Александр Александрович | 2002 |