Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением

• Автор: Марков, Кирилл Александрович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 152 с. : ил

Содержание
Введение
Глава 1. Проблемы синтеза диэлектрических слоев и эффект дальнодействия
при ионной имплантации (литературный обзор)
1.1. Введение
1.2. Перспективы применения в микроэлектронике скрытых диэлектрических слоев. КНИ - структуры на основе нитрида кремния
1.2.1. Способы получения скрытых слоев. Методы получения 81з1Ч4
1.2.2. Особенности ионно-лучевого синтеза слоев 8Юг и 81зИ}
1.2.3. Некоторые разновидности ионного синтеза диэлектрических слоев с применением ионной имплантации
1.2.4. ИК-спектроскопия нитрида кремния
1.2.5. Электрофизические свойства КНИ-структур и слоев 81з1М
1.3. Эффект дальнодействия при ионной имплантации
1.3.1. Закономерности проявления эффекта дальнодействия
1.3.1.1. Основные экспериментальные данные
по эффекту дальнодействия
1.3.1.2. Влияние параметров имплантации на
проявления эффекта дальнодействия
1.3.2. Модели эффекта дальнодействия
1.4. Постановка задачи
Глава 2. Двойное ионное облучение кремния. Оптические,
металлографические и электронно-микроскопические наблюдения ионно-синтезированных слоев 81зП
2.1. Введение
2.2. Приготовление структур с диэлектрическими слоями нитрида кремния двойным последовательным ионным облучением

2.3. Обеспечение необходимого температурного режима при ионной имплантации
2.4. Исследование ИК-спектров синтезированных диэлектрических слоев и влияние на них облучения аргоном противоположной стороны пластины кремния
2.5. Металлографическое и электронно-микроскопическое наблюдение синтезируемых слоев
2.6. Заключение
Глава 3. Электрические свойства нонно-синтезируемых
в монокристаллическом кремнии слоев БізИз
3.1. Введение
3.2. Вольтамперные характеристики структур БіДІу-Бі и влияние
на них имплантации аргона в тыльную строну пластин
3.2.1. Режимы облучения и методика измерения вольтамперных характеристик слоев Бізі4^
3.2.2. Результаты и обсуждение исследований вольтамперных характеристик структур БіхМу-БІ
3.3. Влияние имплантации аргона в нерабочую сторону пластин на диэлектрическую проницаемость слоев нитрида кремния
3.3.1. Методика импульсных измерений диэлектрической проницаемости изолирующих слоев
3.3.2. Результаты импульсных измерений диэлектрической проницаемости структур БІ Д'.. БІ
3.4. Заключение
Глава 4 Процессы блистеринга при имплантации аргона в кремний.
Физическая модель дальнодействующего влияния ионного
облучения аргоном на синтез нитрида кремния
4.1. Введение

4.2. Изменение топографии поверхности кремния при облучении
ионами аргона с различными дозами
4.3. Спонтанно-акустическая модель дальнодействующего стимулирования синтеза диэлектрических фаз в кремнии при имплантации аргона
4.4. Моделирование распространения волны давления по глубине кристалла
4.5. Заключение
Общее заключение и выводы
Литература
Приложение
Приложение

Таблица 2. Положение, интенсивность и идентификация полос поглощения в ИК спектре нитрида кремния [29]
N полосы в a-Si3N4 Положение полос, см’1 Интенсивность Отнесение полос в a-Si3N
a [3 пленка a
1 1045 1040 с. с. V3 (F2)
2 985 980 с. с. v3 (F2)
3 895 906 с. с. vs ill)
4 858 -860 с. Vi (Л)
5 750 сл.
6 684 680 ср.- сл. сл, vfF)

7 605 580 сл. ср.
8 493 -500 Ср. v 4CF2)
8" 510 537 сл. vi (E)
8" 501 V4 (F2)
8м’ 488 496 V4 П-
9 461 445 сл.- ср. ср
10 403 ср.- сл.
11 375 376 сл.- ср. ср.
12 352 сл,- ср.
13 305 сл.
Примечание, с - сильная, ср - средняя ,сл,- слабая.