Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур
- Автор:
Соболев, Николай Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
264 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе | Торхов, Николай Анатольевич | 2007 |
| Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния | Супрунов, Владимир Владимирович | 1999 |
| Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений | Осинский, Андрей Владимирович | 1998 |