Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой

• Автор: Паримбеков, Заитхан Анарбекович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 230 c. : ил

Отр.

ГЛАВА I. ТРОЙНЫЕ АЛМАЗОПОДОБНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

(обзор литературы)

1.1. Кристаллическая структура кристаллов соединений ^ и 1~1Ц-У12

1.2. Строение энергетических зон тройных полупроводников /9

1.2.1. Межзонные оптические переходы

1.2.2. Структура валентной зоны

1.2.3. Строение энергетических зон приТ<

1.3. Экспериментальные результаты исследований рекомбинационного излучения некоторых тройных полупроводников Ц~1У~У2

1.3.1. Исследования РИ р -СИ9Аьл

1.3.2. Исследования РИС/бе/^ и Се/5>пЦ

1.3.2.1. Излучательные свойства СЛ£ге$
1.3.2.2. Излучательная рекомбинация Сс15пР2
1.3.2.3. Свойства твердых растворов в системе С<99>пР2
1.3.2.4. Экспериментальное исследование упорядочения на физические свойства кристаллов2/?
1.4. Физические свойства и энергетическая структура
зон кристаллов % - и ск -Ад1п%2
1.5. Постановка задачи
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Характеристика методов получения и легирования
кристаллов р-

2.2. Характеристика методов получения кристаллов р-%Л$пРг
2.3. Характеристика методов получения и легирования кристаллов твердых растворов
2.4. Характеристика метода выращивания кристаллов
ромбической модификации
2.5. Методика подготовки образцов к исследованиям
2.6. Методика поляризационных исследований спектров
ФЧ и РИ
Краткие выводы по главе
ГЛАВА 3. ИССЛЗДОЕАШЕ РИ монокристаллов р- и
И - типа проводимости
3.1. Исследование РИ кристаллов р- типа
проводимости, выращенных без легирования по- 82.
сторонними химическими примесями
3.1 Л. Спектры РИ в зависимости от температуры и уровня возбуждения
3.1.2. Влияние концентрации дырок и условий термообработки на люминесценцию р-СсІЗі^
3.2. Исследование РИ кристаллов (УЯШ2 р-типа
проводимости, однородно легированных посторонними химическими примесями в процессе получения
3.2.1. Излучательные свойства кристаллов , содержащих примеси первой группы
3.2.2. Рекомбинационное излучение кристаллов р-Сс18)А<,2<&4>
3.2.3. Рекомбинационное излучение кристаллов р3.2.4. Рекомбинационное излучение кристаллов р-

3.2.5. Рекомбинационное излучение кристаллов
, содержащих примеси/« и Зе
3.2.6. Рекомбинационное излучение кристаллов
рлегированных переходными элементами
3.2.7. Анализ особенностей поведения примесей в кристаллах р-
3.3. Исследование поляризационных свойств краевого
РИ монокристаллов р3.4. Исследование РИ слоев п-С
Краткие выводы по главе 3
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ П03ИВД0НН0Г0 РАЗУПОРЯДОЧЕ-НИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ НА ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
ОДНООСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
4.1.^Исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств кристаллов
4.1.1. Электрические свойства кристаллов П типа
4.1.2. Фоточувствительность поверхностно-барьерных
структур на основе кристаллов р-%ї8пР,
4.1.3. Исследование РИ кристаллов р-35г3п§
4.1.4. Природа излучательных переходов в кристаллах
р-2/і$>пР2
4.1.5. Влияние ТО на спектры РИ кристаллов р-Ж/гБп
4.1.6. Спектры РИ слоев я - типа проводимости
4.2. Исследование анизотропий ФЧ и РИ ТР С4£пх&е/_х$
4.2.1. Поляризационные исследования ФЧ поверхностно-барьерных структур
4.2.2. Исследование РИ монокристаллов ТР

Рис.20 Спектральная зависимость фотолюминесценции специально не легированных кристаллов Ы3кр2 1.301.
Рис.21 а - Спектральные зависимости интенсивности РИ
(сплошная кривая - Е И "с, пунктир - Е _1_с) и 8 (Д)
специально не легированного обр.19-2п,
Т=4.2 К, б - спектральные зависимости интенсивности РИ и 5 кристаллов р-Сс13п.Р2<Си> при Т=Ь0 К. 0бр.23-1р - верхний пунктир и V . 0бр.23-3р - а и нижний пунктир.