Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки
- Автор:
Борщёв, Кирилл Станиславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
114 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры | Лагов, Петр Борисович | 1999 |
| Физические основы получения анизотропных твердых растворов халькогенидов висмута и сурьмы модифицированным методом Бриджмена и формирования термоэлементов на их основе | Воронин Андрей Игоревич | 2017 |
| Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона | Бритов, Александр Дмитриевич | 1983 |