Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки
- Автор:
Борщёв, Кирилл Станиславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
114 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптика фазовых превращений и электретных состояний в оксидах переходных металлов | Шадрин, Евгений Борисович | 1997 |
| Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs | Черкашин, Николай Анатольевич | 2002 |
| Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex | Синятынский, Алексей Алексеевич | 1984 |