Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки
- Автор:
Борщёв, Кирилл Станиславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
114 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Перенос носителей заряда в слоях пористого кремния с различной формой и поверхностным покрытием нанокристаллов | Мартышов, Михаил Николаевич | 2009 |
| Самоупорядоченные наноразмерные структуры на основе твердого раствора кремний-германий, полученные методом ионной имплантации | Иржак, Артемий Вадимович | 2004 |
| Термоэлектрические свойства гетерофазных структур | Пшенай-Северин, Дмитрий Александрович | 2003 |