Оптика фазовых превращений и электретных состояний в оксидах переходных металлов

• Автор: Шадрин, Евгений Борисович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1997
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 573 с.

ЮССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ имени А.Ф.ИОФФЕ
На правах рукописи
ШАДРИН ЕВГЕНИЙ БОРИСОВИЧ
ОПТИКА ФАЗОВЫХ ПРЕВРАЩЕНИЙ И ЭЛЕКТРЕТНЬК СОСТОЯНИЙ В ОКСИДАХ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ
Специальность 01.04.10 - физика полупроводников и
диэле ктриков
ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Санкт-Петербург

ОГЛАВЛЕНИЕ.
ПРЕДИСЛОВИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Положения, выносимые на защиту
Глава 1. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫХ ОКИСНО-ВАНАДИЕШХ СТРУКТУР.
1.1. Физические характеристики диоксида ванадия
1.2. Оптические свойства монокристаллов и пленок диоксида ванадия
1.2.1. Монокристаллы V
1.2.2. Ширина запрещенной зоны полупроводниковой фазы V
1.2.3. Зонная схема .диоксида ванадия и ее изменения при фазовом переходе металл - полупроводник
1.2.4. Корреляционные эффекты
1.2.5. Оптиаеские свойства пленок .диоксида ванадия
1.2.6. Температурный гистерезис
1.3. Макромодель интерференционной окисно-ванадиевой структуры
1.4. Модификация метода измерения оптических постоянных
1.5. Экспресс-метод измерения эффективных оптических констант НОВО
1.6. Результаты исследования эффективных оптических параметров интерференционных структур на основе У02 5Н
1.7. Краткие выводы к главе
Глава 2. ВНУТРЕННЯЯ СТРУКТУРА ГЛАВНОЙ ПЕТЛИ ТЕМПЕРАТУРНОГО ГИСТЕРЕЗИСА ОТРАЖГЕЛЬНОИ СПОСОБНОСТИ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОЙ 0КЖЖ0-ВАНАДИЕВ0Й СТРУКТУРЫ
2.1 Параметры, характеризующие главную петлю гистерезиса ИОВС

2.2. Встречные семейства частных петель гистерезиса
2.2.1. Определения
2.2.2. Математическое описание частных петель
2.3.функция распределения коэрцитивных температур
2.4. Мартенситный характер фазового перехода металл-полупроводник в диоксиде ванадия
2.5. Главные вывода теории мартенситных превращений
2.6. Размерные эффекты в пленках диоксида ванадия
2.7. Управление формой главной петли гистерезиса с помощью варьирования условий синтеза
2.7.1. Возможности управления, даваемые Н-технологи-

2.7.2. Возможности управления, даваемые 8-технологией
2.8. Краткие вывода к главе 2
Глава 3. КИСЛОРОДНЫЕ ДЕФЕКТЫ, СМЯГЧЕНИЕ ФОНОННОГО СПЕКТРА И
ПРИРОД! МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СОСТОЯНИЯ В ДИОКСИДЕ ВАНАДИЯ'., ИЗ
3.1. Результаты экспериментов
3.2. Вторично-эмиссионные свойства ИОВС
3.3. Легирование ИОВС водородом путем ее облучения электронами через органические покрытия
3.4. Спектры комбинационного рассеяния света нестехиоме-тричных и облученных электронами ИОВС
3.5. Обратимая экстракция-инжекция кислорода в пленку диоксида ванадия с помощью суперионнного кислородного насоса
3.6. Спектры КРС кристаллических образцов У 02, подвергну-тых дефектообразующим воздействиям
3.7. Смягчение фошонного спектра и природа металлического
- зЬ"~
Табдвда :1 Частоты, затухание и силы осцилляторов в диоксиде ванадия, полученные из анализа спектров отражения.
Т<Тс (300К)]Е11Ск ; £««=5
6,73 4,1 3,62 3,5 2,67 /,82 /33 //9 0,9 А
{/ <02 0,89 09 Г£ 0,315 0,5 0,5 0,4 0,25 0,44 0,47 0,5 0
/ -Т (300К); £ У СЛ; £«= 5
ЕШ 582 4,36 3,5 3,42 2,2/ /57 7,79 //56 0,1?
Т /?»4 /у 0 /36 0,39 036 26 0,95 0,55 ЕИС*. б о. кт 3,77
Е(ъ&) 2,94 3,65 63 074 2,86 3,53 4
и 0,8 3 32 г/2 £ /65 /25 9,0?
Гс 0,29 0,35 63 0,58 33/ 0