Электронно-ионное взаимодействие и туннельный эффект в кремниевых структурах металл–окисел–полупроводник
- Автор:
Чучева, Галина Викторовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Зеленоград
- Количество страниц:
175 с. : 53 ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия | Чигинева, Анна Борисовна | 2004 |
| Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2 | Малявка, Лариса Васильевна | 1999 |
| Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx : Н | Лигачев, Валерий Алексеевич | 1998 |