Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия
- Автор:
Чигинева, Анна Борисовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
193 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия», автор — Чигинева, Анна Борисовна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Нижний Новгород в 2004 году. Объем работы: 193 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002624540. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава | Карачевцева, Мария Виссарионовна | 2000 |
| Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок гидрогенизированного и фторированного нанокристаллического кремния | Миловзоров, Дмитрий Евгеньевич | |
| Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x | Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат | 2000 |