Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия
- Автор:
Чигинева, Анна Борисовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
193 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Развитие метода эффективной массы для III-U полупроводниковых гетероструктур | Тахтамиров, Эдуард Евгеньевич | 1998 |
| Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур | Шабунина, Евгения Игоревна | 2011 |
| Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (λ=2-5 мкм) | Гребенщикова, Елена Александровна | 2007 |