Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs
- Автор:
Блохин, Сергей Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
162 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследования и разработка технологии изготовления гетероструктур на основе антимонида галлия методом ГФЭМОС | Левин, Роман Викторович | 2016 |
| Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия | Светухина, Ольга Сергеевна | 2004 |
| Диэлектрическая релаксация и процессы переключения в сегнетоэлектриках в быстронарастающих сильных электрических полях | Агаларов, Агалар Шахэмирович | 2008 |