+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:9
На сумму: 4.491 руб.

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Резонансы и локализованные состояния в сложных наноструктурах

  • Автор:

    Журавлёв, Максим Николаевич

  • Шифр специальности:

    01.04.10

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2009

  • Место защиты:

    Москва

  • Количество страниц:

    128 с.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

Глава 1. Резонансы и локализованные состояния. Обзор литературы
Глава 2. Коллапс резонансов в полупроводниковых гетероструктурах
2.1. Введение
2.2. Инвертированная резонансно-туннельная гетероструктура
2.3. Трёхбарьерная резонансно-туннельная гетероструктура
2.4. Коллапс резонансов в полупроводниковых гетероструктурах как переход с нарушением симметрии в открытой квантовой системе
2.5. Выводы
Глава 3. Квазибезотражательные потенциалы в полупроводниковых наногетероструктурах
3.1. Введение
3.2. Резонансное рассеяние при малых энергиях
3.3. Квазибезотражательные потенциалы
3.4. Экспериментальная реализация квазибезотражательных потенциалов
3.5. Выводы

Глава 4. Топологические связанные состояния
4.1. Введение
4.2. Квантовая вилка
4.3. У-разветвитель
4.4. Квантовое кольцо
4.5. Кластер из У-разветвителей
4.6. Выводы
Заключение
Литература

Используемые сокращения
(Рус.)

ИРТД

(Англ.)
SQUID
вольт-амперная характеристика граничные условия интерференционный резонанс инвертированный резонансно-туннельный диод латтинджеровская жидкость метод эффективной массы резонансное туннелирование резонансно-туннельный диод резонансно-туннельная структура
Superconducting Quantum Interference Devices

и ,эВ

Рис 2.8. Зависимость коэффициента асимметрии от глубины квантовой ямы для инвертированного резонансно-туннельного диода; на вставке показаны волновые функции при £/ш,(эВ): 1 - 0,20, 2 - 0,28, 3 - 0,35
Заметим также, что в отличие от случая двухбарьерной структуры (резонансно-туннельный диод) при подбарьерном резонансе нет роста амплитуды волновой функции в структуре. Таким образом, в рассматриваемой структуре не происходит накопления заряда, что может благоприятно отразиться на динамических свойствах приборов, основанных на эффекте подбарьерного туннелирования
Рассмотренный в настоящей главе коллапс резонансов допускает аналогию с исследованным в модели Калдейра-Легетта (КЛ) [57, 105] квантовым фазовым переходом. В модели КЛ, описывающей пространственно-ограниченную квантовую систему с диссипацией, было показано, что диссипация может подавлять туннелирование и приводить к нарушению симметрии распреде-

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.192, запросов: 1110