Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах

• Автор: Андрианов, Александр Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 267 с. : ил.

1. Фотогальванический эффект в полупроводниках (на примере
соединений АЗВ5).
1.1. Введение
1.2. Линейный фотогальванический эффект (ЛФГЭ) на свободных носителях в p-GaAs.
1.3. ЛФГЭ при фотоионизации примесных центров
1.3.1 ЛФГЭ в кристаллах p-GaAs(Zn) при низких температурах
1.3.2. ЛФГЭ в кристаллах n-InAs
1.4. Индуцированный магнитным полем ЛФГЭ
1.5. Циркулярный фотогальванический эффект, индуцированный магнитным полем
1.6. Быстродействующие измерители поляризационных характеристик инфракрасного и терагерцового лазерного излучения
2. Оптические явления в пористом кремнии.
2.1. Введение
2.2. Быстрая полоса фотолюминесценции (ФЛ) и спектрально-временная трансформация излучения пористого кремния
2.3. Эффект поляризационной памяти в ФЛ пористого кремния
2.4. Анизотропия поляризационной памяти ФЛ пористого кремния, стимулированная светом
2.5. Усиленное комбинационное рассеяние света в пористом кремнии
3. Терагерцовые излучательные переходы в низкоразмерных
структурах и легированных полупроводниках (на примере Ge(Ga)
и квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs)
3.1. Введение
3.2. Электролюминесценция многопериодных структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в области 1.0-1.8 ТГц
3.3. Энергетический спектр и вероятности межподзонных переходов в квантово-каскадной структуре GaAs/AlGaAs.
3.4. Терагерцовое (ТГц) излучение при электрическом пробое
мелкого акцептора в германии
3.4.1. Спектр ТГц излучения вблизи порога примесного пробоя
в Ge(Ga).
3.4.2. Линейно поляризованная ТГц электролюминесценция в одноосно деформированном Ge(Ga).
Заключение.
Список основных работ автора
Литература.
Актуальность темы. Исследование неравновесных процессов, возникающих в кристалле в результате внешнего воздействия, занимает центральное место в физике полупроводников и мотивируется многочисленными техническими применениями полупроводниковых материалов. Важнейший раздел твердотельной электроники - оптоэлектроника - целиком базируется на неравновесных процессах, обусловленных взаимодействием электромагнитного излучения (света) с электронами в кристалле. Все многообразие таких процессов сводится либо к поглощению излучения и изменению состояния электронной подсистемы либо, наоборот, к генерации излучения при релаксации возбужденного состояния в электронной подсистеме, созданного электронным потоком внутри кристалла или в результате фотовозбуждения. Поляризация, наряду с интенсивностью и спектральным составом, является одной из основных характеристик излучения. В процессах взаимодействия электронной подсистемы кристалла с поляризованным излучением проявляются ее микроскопические особенности и свойства симметрии. Исследования поляризационных оптических явлений позволяют изучать как микроскопические свойства электронной подсистемы, так и детали взаимодействия света с веществом.
С развитием техники мощных лазеров, в процессе освоения оптоэлектроникой новых областей спектра, а также новых систем материалов и

•ч-

Temperature, К
Рис. 1.7. Температурная зависимость величины %/р для образца р-ваАз с р(300 К) =7.4х1016 см'3, Ь=10.6 мкм. Точки - эксперимент, сплошная кривая - расчет по (1.35).