Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Автор:
Андрианов, Александр Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
267 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией | Истомин, Леонид Анатольевич | 2010 |
| Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs | Котельников, Игорь Николаевич | 2007 |
| Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H | Нальгиева, Мадина Алихановна | 2006 |