Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Автор:
Истомин, Леонид Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
137 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией», автор — Истомин, Леонид Анатольевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Нижний Новгород в 2010 году. Объем работы: 137 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004901133. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности поведения узкозонных полупроводников во внешних полях | Зайко, Юрий Николаевич | 1985 |
| Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором | Кузнецов, Сергей Викторович | 2001 |
| Оптические свойства гетероструктур (Zn, Cd)Se/(Zn, Mg)(S, Se) с массивами квантовых точек | Крестников, Игорь Леонидович | 1998 |