Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Автор:
Истомин, Леонид Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
137 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структурные и оптические характеристики эпитаксиальных пятикомпонентных твердых растворов в гетероструктурах на A3B5 | Терновая, Вера Евгеньевна | 2013 |
| Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники | Резвый, Ростислав Ростиславович | 1998 |
| Динамическая модель процессов формирования трехмерных кластеров в кремнии | Можаев, Алексей Владиславович | 2010 |