Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Автор:
Истомин, Леонид Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
137 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе | Пархоменко, Яна Александровна | 2003 |
| Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение | Мынбаева, Марина Гелиевна | 2003 |
| Метод обработки результатов измерений температуры в процессах высокотемпературного синтеза | Смирнов, Евгений Валерьевич | 2010 |