Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs

• Автор: Котельников, Игорь Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 217 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Эффекты поляронного взаимодействия в двумерных электронных
системах на основе ОаАэ (Обзор)
1.1. Поляроны в полупроводниках
1.2. Резонансное поляронное взаимодействие
1.3. Линии ЬО-фононов в туннельных спектрах переходов
на основе ОаАз
Глава 2. Изготовление туннельных переходов методом МЛЭ и
характеристики образцов
2.1. Технология МЛЭ изготовления туннельной структуры А1/5-(ЗаАз
2.2. Основные параметры туннельных структур АГб-ОаАэ
Глава 3. Методические особенности измерений туннельных спектров,
их анализа и обработки
3.1. Формулы для анализа туннельных характеристик структур
А1/8-ОаАз
3.2. Методики измерения туннельных спектров, определение
положений уровней в ДЭС и сравнение с расчетом
3.3. Выделение многочастичных особенностей в туннельных
спектрах
3.4. Туннельная плотность состояний в области сверхпроводящей
щели в алюминиевом электроде структуры А1/8-ОаАз
Г лава 4. Магнитотранспортные измерения в приповерхностных
8-легированных слоях
4.1. Структуры приповерхностными 5-слоями
4.2. Зависимость подвижности в заполненых подзонах ДЭС от
напряжения на металлическом затворе

4.3. Структура с двумя 8-слоями
4.4. Выводы

Г лава 5. Эффект замороженной туннельной фотопроводимости
5.1. Основные проявления эффекта ЗТФП при температуре 4.2К
5.2. Влияние геометрии затворов и энергии кванта излучения на
эффект ЗТФП
5.3. Температурная граница эффекта ЗТФП
5.4. Заключительные замечания и выводы
Глава 6. Диамагнитный сдвиг уровней и резонансные поляронные
эффекты в приповерхностном 8-слое
6.1. Зависимость туннельных спектров от
продольного 8-слою магнитного поля
6.2. Резонансные поляроны в
приповерхностном 8-слое
6.3. Выводы
Глава 7. Линии ЬО-фононов в туннельных спектрах ДЭС
7.1. Линии ЬО-фононов в туннельных спектрах структур
АРОаАд с ЗБ и2Э электродом в ОаАэ
7.2. Эффект отражения электронов при туннелировании в ДЭС
на пороге эмисии ЬО-фонона
7.3. Зависимость эффекта отражения от плотности ДЭС
7.4. Поляронные особенности в собственной энергии
электрона в ДЭС
7.5. Выводы
Глава 8. Туннельная плотность состояний на поверхности Ферми в ДЭС 8-
легированного слоя ОаАэ
8.1. Вводные замечания
8.2. Туннельно-спектроскопические исследования ДЭС 8-слоя
при гидростатических давлениях

8.3. Зависимость туннельной плотности состояний на поверхности
Ферми от концентрации электронов в ДЭС
8.4. Зависимость аномалии при нулевом смещении в туннельных
спектрах от магнитного поля для структур с кС >
8.5. Выводы
Глава 9. Отклик туннельных структур на импульсное излучение
субмиллиметрового лазера с оптической накачкой
9.1. Вводные замечания
9.2. Отклик структур Al/8-GaAs на излучение с длинами волн
90 и 250 мкм
9.3. Фотоотклик структур с двойным (разрезным) затвором
9.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Литература

В заключении следует отметить, что о наблюдении ЬО-фононных линий в туннельных структурах с ДЭС, насколько нам известно, не сообщалось. По-видимому, это связано с появлением в туннельном токе таких структур значительно более сильных эффектов 213 плотности состояний. К тому же, в большинстве структур межподзонные расстояния были значительно меньше энергии ЬО-фонона, что должно было приводить смешиванию подзонных особенностей в туннельных спектрах с более слабыми фононными особенностями. Однако в современных МЛЭ структурах п-ОаАз/ЛЮаАэ/п-ОаАз с одиночным туннельно-прозрачным барьером линии, соответствующие ЬО-фононам ОаАэ и ЛЮаАэ, отчетливо наблюдались [47].