Поляризационные оптические явления в полупроводниках со сложной структурой зон

• Автор: Аверкиев, Никита Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 121 c. : ил

Глава I. Тонкая энергетическая структура мелкого донора ( ) и экситона, связанного на нейтральном доноре ( ) в германии в магнитном поле.

Поляризация излучения многоэкситонных комплексов в кремнии в магнитном поле

§ I. Введение

§ 2. Энергетический спектр основного состояния

доноров в германии с учетом спина в магнитном

поле

§ 3. Тонкая структура уровней связанного на нейтральном доноре экситона в германии

§ 4. Поляризация излучения связанного экситона в

( ) в продольном магнитном поле

§ 5. Магнитные свойства многоэкситонных комплексов в кремнии

§ 6. Линейная поляризация излучения экситонов в продольном магнитном поле в кремнии
Глава 2. Эффект Яна-Теллера в глубоких примесных центрах в полупроводниках
§ I. Введение
§ 2. Поляризация рекомбинационного излучения, обусловленная глубоким центром, вводимым в арсенид галлия

§ 3. Анизотропное подавление эффекта Яна-Теллера в глубоких примесных центрах в кубических полупроводниках при одноосном давлении
Глава 3. Циркулярный фотогальванический эффект в гиротропных кристаллах
§ I. Введение
§ 2. Механизм возникновения циркулярного ФГТ при поглощении света свободными носителями
§ 3. Фотогальванический эффект, обусловленный спиновой ориентацией носителей, при оптических переходах между валентными подзонами
Глава 4. Поверхностный ток, зависящий от степени циркулярной поляризации возбуждающего света, в полупроводниках
§ I. Введение
§ 2. Поверхностный фототок в полупроводниках,
обусловленный неоднородностью спиновой
ориентации электронов
Заключение
Литература

Изучение оптических явлений, существенно зависящих от поляризации света, является эффективным методом современной физики полупроводников. Поляризация излучения отражает симметрию волновых функций электронов и дырок в кристаллах и заполнение ими квантовых состояний, т.е. их ориентацию. В зависимости от соотношения времени жизни Т и времени спиновой релаксации €$ различают равновесное или неравновесное заполнение квантовых состояний. При Т » поляризация излучения может возникать в результате равновесного распределения электронов во внешних полях (магнитное или электрическое поле, внешняя деформация), когда засщепленные уровни заполняются в соответствии с их энергией. В случае Т$»Т заполнение уровней определяется скоростью возбуждения электронов и дырок и носители заряда можно ориентировать при возбуждении их поляризованным светом, при этом образуются состояния с определенным спином. Это явление называется поляризацией (или оптической ориентацией) и возникает при освещении кристалла циркулярнополяризованным светом [27, зо]. При возбуждении экситонов или примесных центров линейнополяризованным светом может происходить выстраивание, т.е. образование состояний с определенным дипольным моментом.
В диссертации рассматриваются обе возможности поляризации носителей, а именно, в первой части рассмотрена линейная или циркулярная поляризация излучения примесных состояний в полупроводниках в присутствии внешнего магнитного поля или 1 одноосной деформации, при Т » ^ ,* во второй части
рассматривается возникновение электрического тока при оптической ориентации спинов свободных носителей при Т& » Гр , где 'Гр - время релаксации импульса.
V '■ ' ■■— " - —" - и

. йис#.ІЗ, Зависимость степени циркулярной поляризации Л/Р и 10-линий излучения МЭК в кремнии, легированном фосфором от магнитного поля Н при 1=1,9 К; Н|| [хіі]* Сплопшые линии ** эксперимент^] , штриховые и пунктирные * теория при / =2 , =1,2;
1=1,9 К* Вертикальные отрезки указывают на погрешность измерений.