Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик
- Автор:
Гаргури, Хамши
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Одесса
- Количество страниц:
155 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик», автор — Гаргури, Хамши, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Одесса в 1984 году. Объем работы: 155 c. : ил. Внутренний код товара: 01003424804. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца | Писаревский, Мстислав Сергеевич | 2002 |
| Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование) | Яновицкая, Зоя Шмеровна | 2003 |
| Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения | Дюделев, Владислав Викторович | 2006 |