Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик
- Автор:
Гаргури, Хамши
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Одесса
- Количество страниц:
155 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование процесса термической диссоциации нитрида галлия при воздействии инфракрасного лазерного излучения | Вирко, Максим Викторович | 2017 |
| Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O) | Пахневич, Андрей Александрович | 2008 |
| Влияние примесей и молекулярного окружения на оптические свойства квантовых точек селенида кадмия | Целиков, Глеб Игоревич | 2013 |