Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик
- Автор:
Гаргури, Хамши
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Одесса
- Количество страниц:
155 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Динамические характеристики полупроводниковых лазеров на основе квантовых точек | Колыхалова, Екатерина Дмитриевна | 2016 |
| Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия | Гафиатулина, Елена Саугановна | 1998 |
| Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах | Задорожный, Филипп Михайлович | 1999 |