Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик
- Автор:
Гаргури, Хамши
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Одесса
- Количество страниц:
155 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик», автор — Гаргури, Хамши, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Одесса в 1984 году. Объем работы: 155 c. : ил. Внутренний код товара: 01003424804. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках | Коровкин, Михаил Владимирович | 1998 |
| Исследование влияния динамики и кинетики процессов самоорганизации структуры ступеней и островков псевдоморфных пленок на вицинальных поверхностях полупроводников | Ланцова, Ольга Юрьевна | 2003 |
| Многослойные полупроводниковые структуры с неоднородно распределенными параметрами | Бормонтов, Евгений Николаевич | 2001 |