Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария

• Автор: Шаренкова, Наталия Викторовна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 158 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Краткая аннотация и основные защищаемые положения
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.
1.1 .Редкоземельные полупроводники на основе моносульфида
самария
1.1.1. Свойства полупроводниковых материалов на основе моносульфида самария
1.1.2. Структурные особенности БшБ
1.1.3. Зонная структура полупроводниковых материалов на основе БтБ
1.1.4. Электрические свойства моносульфида самария
1.1.5. Фазовые переходы в БтБ
1.1.6. Физические механизмы фазового перехода и термовольтаического эффекта
1.2. Понятие области когерентного рассеяния рентгеновского излучения кристаллической решёткой материала
1.2.1.Дифракция рентгеновского излучения кристаллической решёткой вещества в рамках кинематической теории рассеяния
1.2.2. Связь величины узлов обратной решётки с размерами области
когерентного рассеяния кристаллического вещества
1.2.3.Определение размера области когерентного рассеяния и величины микронапряжения
Краткие выводы
ГЛАВА 2. ПРИГОТОВЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ И МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ.
2.1. Образцы

2.1.1. Приготовление объёмных образцов
2.1.2. Приготовление тонких плёнок
2.2. Рентгеноструктурный анализ.
2.2.1. Определение параметров кристаллической решётки
2.2.2.Качественный и количественный фазовый анализ содержания фаз. 2.2.3.Определение истинного уширения дифракционного отражения методом аппроксимации
2.3. Измерение физических величин
2.3.1. Измерение температурного коэффициента линейного расширения дилатометрическим методом
2.3.2. Измерение электрических параметров
2.3.3. Измерение коэффициентов диффузии
2.3.4. Исследование радиационной стойкости образцов
Краткие выводы
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ НА
СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ БтБ.
3.1.Исследование температурной зависимости параметра кристаллической решётки БтБ;
3.1.1.Поведение параметра кристаллической решётки БтБ при нагревании в условиях отсутствия термовольтаического эффекта
3.1.2.Параметр кристаллической решётки и коэффициент теплового расширения БглЭ при наличии термовольтаического эффекта
3.2. Особенности фазового состава монокристаллического БтБ при повышенных температурах.
3.2.1. Температурная зависимость коэффициента теплового линейного расширения БшБ
3.2.2. Возникновение фаз с пониженным параметром кристаллической решётки в БтБ
Краткие выводы
4 ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНЫХ ФАКТОРОВ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
СВОЙСТВА БтБ
4.1.Связь структурных особенностей с электропроводностью тонких плёнок
, БтБ
4.1.1. Влияние технологических параметров процесса изготовления на
свойства плёнок БтБ
4.1.2. Электропроводность тонких плёнок БтБ
4.2.Влияние термовольтаического эффекта на электрические свойства тонких
плёнок моносульфида самария
4.2.1.Термовольтаический эффект и электропроводность плёнок БтБ
4.2.2.Вольт-амперная характеристика и высокоомная фаза БтБ
4.3. Радиационная стойкость электрических параметров БтБ
Краткие выводы
ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ РАЗМЕРОВ ОБЛАСТЕЙ КОГЕРЕНТНОГО
РАССЕЯНИЯ (ОКР) РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА
МОНОСУЛЬФИДОВ САМАРИЯ
5.1. Влияние размеров ОКР на процессы диффузии
5.1.1. Диффузия Ей в сульфиде самария
5.1.2. Диффузия № в сульфиде самария
5.1.3. Коэффициент диффузии электронов в сульфиде самария
5.2. Влияние размеров ОКР на электрические свойства БтБ
5.2.1. О структуре дефектов в БтБ
5.2.2. Зависимость концентрации и подвижности носителей зарядов от
величины ОКР
5.2.3. Способы изменения величины ОКР
5.3. Механизм стабилизации металлической фазы материалов на основе БтБ
при фазовых переходах полупроводник-металл
Рис. 1.9. Действие функции формы Ф(г) (двумерная схема).

Рис. 1.10. Функция 6(А, х)= *тлАх (а) и её квадрат (б).