Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs
- Автор:
Кузьменков, Александр Георгиевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
236 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Двумерные соединения Tl-Sn, Tl-Pb и Au-Al на поверхности Si(111) | Тупчая Александра Юрьевна | 2018 |
| Принципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Петров, Станислав Игоревич | 2007 |
| Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств | Сизов, Дмитрий Сергеевич | 2006 |