Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
- Автор:
Новиков, Владимир Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах», автор — Новиков, Владимир Александрович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2007 году. Объем работы: 135 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003369351. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние деформации на зарядовое упорядочение в кристаллах | Ткач, Валентин Иванович | 1984 |
| Физические процессы при ионно-лучевом синтезе структур на основе кремния | Тысченко, Ида Евгеньевна | 2015 |
| Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения | Требунских, Сергей Юрьевич | 2006 |