Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
- Автор:
Новиков, Владимир Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронное строение и размерные свойства углеродных нанотрубок малых диаметров | Ганин, Александр Андреевич | 2013 |
| Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания | Феклистов, Константин Викторович | 2011 |
| Исследование глубоких энергетических уровней в барьерных структурах на основе кристаллического и аморфного гидрогенизированного кремния | ГУДЗЕВ ВАЛЕРИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ | 2015 |