Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур
- Автор:
Каменев, Борис Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
105 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения | Комков, Олег Сергеевич | 2006 |
| Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе | Пархоменко, Яна Александровна | 2003 |
| Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках | Стародубцев, Артем Николаевич | 2000 |