+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Периодические оптические неоднородности в полупроводниковых волноводных гетероструктурах

  • Автор:

    Смирницкий, Владимир Борисович

  • Шифр специальности:

    01.04.10

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    1984

  • Место защиты:

    Ленинград

  • Количество страниц:

    168 c. : ил

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

Отр.
ГЛАВА I. ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОЕ ФОТОТРАВЛЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 12 § 1.1. Установка для получения голографических дифракционных решёток
1.1.1. Оптическая схема установки
1.1.2. Источник излучения
1.1.3. Расширитель и пространственный фильтр
1.1.4. Полупрозрачные и поворотные зеркала
§ 1.2. Исследование особенностей интерференционного
фото травления
1.2.1; Механизм интерференционного фототравления
1.2.2. Учёт ориентации пластин
1.2.3. Выбор травителя
1.2.4. Влияние электрофизических параметров Штерна л а
§ 1.3. Определение параметров фазовых дифракционных
решёток, полученных на поверхности полупроводников
1.3.1. Определение периода дифракционных решёток
1.3.2. Определение профиля и глубины дифракционных решёток
Глава II. КОНЦЕНТРИРУЮЩИЕ ГОЛОГРАФИЧЕСКИЕ ДИФРАКЦИОННЫЕ
РЕШЁТКИ
§ 2.1. Ориентация рабочей поверхности кристалла для
получения решёток с углом блеска
§ 2.2. Концентрирующие дифракционные решётки, полученные методом интерференционного фототравления

§ 2.3. Концентрирующие дифракционные решётки, полученные с использованием фоторезастивной маски
2.3.1. Создание маски и требования к интерференционной засветке
2.3.2. Особенности селективного травления полупроводников
§ 2.4. Экспериментальное исследование дифракционных
двойств решётки с углом блеска
Глава III ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ О ШИТ (МО) ПОЛУПРОВОДНИКОВ "..'
§ 3.1. Дифракционные решётки, полученные кристаллизацией напылённых аморфных слоёв
3.1.1. Лазерные установки для НЛО
3.1.2. Экспериментальные образцы
3.1.3. Методика эксперимента и экспериментальные результаты
§ 3.2. Дифракционные решётка, полученные плавлением
поверхностных неоднородностей
§ 3.3. Объёмные дифракционные решётки, полученные при
использовании МО
Глава IV. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ВОЛНОВОДНЫЕ ГЕТЕРО СТРУКТУРЫ
С ПЕРШДИЧЕСШШ ОПТИЧЕСКИМИ НЕОДНОРОДНОСТЯМИ
§ 4.1. Исследование гетероэдитаксиальных волноводов с
плавным изменением состава по толщине слоя
4.1.1. Методика экспериментов по исследованию параметров пленочных волноводов с помощью ввода
и вывода света через дифракционную решётку
4.1.2. Гетероэдитаксиальные волноводы для передачи изображения

4.1.3. Метод определения распределения показателя преломления плавных волноводов с помощью кусочно-линейной аппроксимации
4.1.4. Модовые характеристики и распределение показателя преломления плавных гетероэпитакси-альных волноводов в системе Д£6<хА& ... Ц2
4.1.5. Дисперсионные характеристики показателя преломления твёрдых растворов А Є 6а Р
§ 4.2. Полупроводниковые гетеролазеры с распределенной обратной связью (РОС) в системе ІГіЗссА^Р
4.2.1. Перестраиваемые полупроводниковые лазеры с
РОС и накачкой инфекционным лазером
4.2.2. Гетеролазеры с РОС, полученной интерференционным лазерным отжигом
4.2.3. Полупроводниковые гетеролазеры с динамической РОС
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

С выбранным параметром Ь просчитывались амплитуды рассеяния во всём диапазоне углов падения. Система (1.3.7) была решена с учётом пяти (т = 0, +1, ±2) и семи (т =0, +1, ±2, +3) порядков дифракции.
На рис.1.14 представлено сравнение расчётных кривых, полученных при учёте семи порядков дифракции,с экспериментальными данными. Как видно, существуют углы 0 , при которых энергии дифрагированных волн меняются особенно резко. Эти углы являются точками пороговых аномалий, связанных с превращением волны, ра-пространяющейся в среде, в волну, затухающую при удалении от границы раздела (для появляющегося порядка дифракции т = -2 при 6 = 17°; для исчезающего порядка т = ±1 при 9 = 20°). Изломы на кривых эффективности возникают из-за перераспределения энергии в точке превращения, поскольку в этой точке изменяется число каналов рассеяния волн.
Сопоставление расчётных данных, полученных с учётом 5 и 7 порядков, показало, что результаты мало отличаются для всех углов 9 , за исключением областей вблизи пороговых аномалий
[26] . Учёт семи порядков дифракций дает характерные изломы кривых в этих местах. Эти изломы были также получены и в эксперименте.
Таким образом ясно, что развитая методика расчёта подходит для неразрушающего контроля параметров глубоких решёток с любым скачком показателя преломления на границе раздела и для любых углов падения света 9 , в то время как применяемая в работе [21] методика неразрушающего контроля годилась только для мелких решёток, период которых был много больше глубины гофрировки и длины волны зондирующего света.
Следует отметить, что описанная методика расчёта может быть применена для решёток с произвольным профилем гофрировки,

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.173, запросов: 967