Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
- Автор:
Астахова, Анастасия Павловна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур | Корнилович, Александр Антонович | 2002 |
| Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111) | Фомин, Дмитрий Владимирович | 2010 |
| К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках | Малышев, Андрей Викторович | 1999 |