Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
- Автор:
Черняков, Антон Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
157 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур», автор — Черняков, Антон Евгеньевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2014 году. Объем работы: 157 с. : ил.. Внутренний код товара: 01007525439. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Многослойные полупроводниковые структуры с неоднородно распределенными параметрами | Бормонтов, Евгений Николаевич | 2001 |
| Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs | Стоянов Николай Деев | 2005 |
| Квантовые точки I и II типа | Макаров, Александр Геннадьевич | 2004 |