Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
- Автор:
Черняков, Антон Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
157 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Транспортные свойства гетероструктур на основе магнитных полупроводников | Ермолов, Алексей Викторович | 2006 |
| Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием | Жевнеров, Евгений Владимирович | 2011 |
| Особенности электропереноса в полупроводниковых материалах на основе сульфидов самария | Васильев, Лев Николаевич | 1999 |